"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg1-xCdxTe p-типа проводимости с x~0.4, выращенных методом MOCVD
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060052
Евстигнеев В.С. 1,2, Варавин В.С. 3, Чилясов А.В. 1, Ремесник В.Г. 3, Моисеев А.Н. 1,2, Степанов Б.С.1
1Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: evstigneev@ihps.nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда в нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоях Hg1-xCdxTe p-типа проводимости c x~0.4, полученных методом MOCVD-IMP. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей заряда могут быть описаны моделью, предполагающей наличие одного акцепторного и одного донорного уровней. Значения энергий ионизации акцепторов в нелегированном и легированном мышьяком материалax составили 14 и 3.6 мэВ соответственно. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации в нелегированных слоях является рекомбинация Шокли--Рида--Холла, а после низкотемпературного равновесного отжига в парах ртути (230oC, 24 ч) --- излучательная рекомбинация. Фундаментальное ограничение времени жизни в легированном мышьяком материалe обусловлено оже-процессом 7. Активационный отжиг (360oC, 2 ч) легированных слоев позволяет достичь 100%-й активации мышьяка.
  1. L.G. Hipwood, N. Shorrocks, C. Maxey, D. Atkinson, N. Bezawada. Proc. SPIE, 8353, 83532M (2012)
  2. W. Scott, E.L. Stelzer, R.J. Hager. J. Appl. Phys., 47, 1408 (1976)
  3. E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 59, 1205 (1986)
  4. S.K. Ghandhi, N.R. Taskar, K.K. Parat, D. Terry, I.B. Bhat. J. Appl. Phys., 53, 1641 (1988)
  5. P. Mitra, Y.L. Tyan, F.C. Case, R. Starr, M.B. Reine. J. Electron. Mater., 25, 1328 (1996)
  6. S.E. Schacham, E. Finkman. J. Appl. Phys., 57, 2001 (1985)
  7. V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
  8. R. Fastow, Y. Nemirovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1245 (1990)
  9. D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
  10. А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, Б.С. Степанов, К.Е. Савлинов, А.П. Котков, Н.Д. Гришнова. Успехи прикладной физики, 1 (2), 213 (2013)
  11. L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
  12. S.D. Yoo, K.D. Kwack. J. Appl. Phys., 83, 2586 (1998)
  13. C.E. Jones, K. James, J. Merz, R. Braunstein, M. Burd, M. Eetemadi, S. Hutton, J. Drumheller. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 131 (1985)
  14. S. Krishnamurthy, T.N. Casselman. J. Electron. Mater., 29, 828 (2000)
  15. M.C. Chen, L. Colombo, J.A. Dodge, J.H. Tregilgas. J. Electron. Mater., 24, 539 (1995)
  16. P.Y. Emelie, S. Velicu, C.H. Grein, J.D. Phillips, P.S. Wijewarnasuriya, N.K. Dhar. J. Electron. Mater., 37, 1362 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.