"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ion Synthesis: Si-Ge Quantum Dots
Переводная версия: 10.1134/S1063782618050081
Gerasimenko N.N.1, Balakleyskiy N.S.2, Volokhovskiy A.D.3, Smirnov D.I.4, Zaporozhan O.A.1
1National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia
2Angstrrem, Moscow, Russia
3Angstrem-T, Moscow, Russia
4P.N. Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
Email: balakleyskiy@gmail.com
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

We present a method of Si-Ge QDs formation by ion beam implantation (IBI) technique and high temperature annealing for self-organization. Implantation doses varied from 1014 cm-2 to 1017 cm-2, ion energies ranged from 50 keV to 150 keV, annealing proceeded at temperature of 950oC to 1050oC in argon environment.Formed QDs show strong infrared (IR) photoluminescence (PL) in the temperature region 15-250 K. Acknowledgements This work has been supported by the Russian Science Foundation (program 15-19-10054).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.