"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030107
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_дк - Конкурс проектов фундаментальных научных исследований, выполняемых молодыми учеными – докторами или кандидатами наук, в научных организациях Российской Федерации в 2016-2018 годах, 16-32-60087
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м - Конкурс 2016 года проектов ориентированных фундаментальных научных исследований по актуальным междисциплинарным темам, 16-29-03292
Российский научный фонд (РНФ), 16-12-00023
Есин М.Ю. 1, Никифоров А.И. 1,2, Тимофеев В.А. 1, Туктамышев А.Р. 1, Машанов В.И. 1, Лошкарев И.Д. 1, Дерябин А.С. 1, Пчеляков О.П. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Национальный исследовательский Tомский государственный университет, Томск, Россия
Email: yesinm@isp.nsc.ru , nikif@isp.nsc.ru, Vyacheslav.t@isp.nsc.ru, tuktamyshev@isp.nsc.ru, mash@isp.nsc.ru, idl@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, pch@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600oС и при со скорости осаждения 0.652 Angstrem/с предварительно нагретую до 1000oС подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35o, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1x2,. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1x2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652 Angstrem/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей I2x1/I1x2 уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700oС не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000oС. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800oС. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100). DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45630.8624
  1. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  2. K. Wang, D. Cha, J. Liu, C. Chen. Proc. IEEE, 95, 1866 (2007)
  3. J. Michel, J. Liu, C. Kimerling. Nature Photonics, 4, 527 (2010)
  4. F. Jain, M. Lingalugari, J. Kondo, P. Mirdha, E. Suarez, J. Chandy, E. Heller. J. Electron. Mater., 45 (11), 5663 (2016)
  5. Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65 (8), 1020 (1990)
  6. I. Goldfarb, P.T. Hayden, J.H.G. Owen, G.A.D. Briggs. Phys. Rev. Lett., 78 (20), 3959 (1997)
  7. H. Yonezu. Semicond. Sci. Technol., 17, 762 (2002)
  8. J. Stoemenos, Ph. Komninou, Th. Karakostas, A. Georgakilas, A. Christou. Mater. Sci. Forum, 126- 128, 631 (1993)
  9. T. Sakamoto, H. Kawanami. Surf. Sci., 111, 177 (1981)
  10. T. Sakamoto, T. Kawamura, G. Hashiguchi. Appl. Phys. Lett., 48, 1612 (1986)
  11. T. Sakamoto, T. Kawamura S. Nago, G. Hashiguchi, K. Sakamoto, K. Kuniyoshi. J. Cryst. Growth, 81, 59 (1987)
  12. A. Ichimiya, P.I. Cohen. Reflection high-energy electron diffraction (Cambridge University Press, 2004)
  13. Zh.L. Wang. Reflection electron microscopy and spectroscopy for surface analysis (Cambridge University Press, 1996)
  14. X. Wang, K.M. Chen et al. Surf. Sci., 228, 334 (1990)
  15. F. Wu, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 75 (13), 2534 (1995)
  16. F. Wu, X. Chen, Zh. Zhang, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 74 (4), 574 (1995)
  17. J.H. Neave, P.J. Dobson, B.A. Joyce, J. Zhang. Appl. Phys. Lett., 47, 100 (1985)
  18. К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006) гл. 12, с. 376

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.