Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600^oС и при со скорости осаждения 0.652 Angstrem/с предварительно нагретую до 1000^oС подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35^o, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1x2,. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1x2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652 Angstrem/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей I_2x1/I_1x2 уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700^oС не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000^oС. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800^oС. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100). DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45630.8624

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.