"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030119
Галиев Г.Б. 1, Климов Е.А. 1, Клочков А.Н. 1, Пушкарев С.С. 1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: galiev_galib@mail.ru, klimov_evgenyi@mail.ru, klochkov_alexey@mail.ru, serp456207@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Исследованы электрофизические свойства и особенности фотолюминесценции однородно легированных атомами Si слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100) и (111)А. Исследуемые образцы выращивались при одинаковом давлении As4 в интервале температур роста от 350 до 510oC. Образцы на подложках GaAs (100) имеют n-тип проводимости во всем указанном интервале температур роста, а образцы на подложках GaAs (111)A имеют p-тип проводимости в интервале температур роста 430-510oC. Спектры фотолюминесценции образцов содержат краевую и примесную полосы. Краевая фотолюминесценция соответствует фотолюминесценции вырожденного GaAs с n- и p-типом проводимости. Примесную фотолюминесценцию образцов на подложках GaAs (100) в диапазоне 1.30-1.45 эВ мы приписываем дефектам VAs и комплексам дефектов SiAs-VAs, концентрация которых изменяется с температурой роста образцов. Трансформация спектров примесной фотолюминесценции образцов на подложках GaAs (111)А интерпретирована как обусловленная изменением концентрации дефектов VAs и VGa при изменении температуры роста образцов. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45628.8589
  1. A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43 (27), 273001 (2010)
  2. H. Eusebe, J.-F. Roux, J.-L. Coutaz, A. Krotkus. J. Appl. Phys., 98 (3), 033711 (2005)
  3. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Ю.В. Федоров, А.С. Бугаев. Нано- и микросистемная техника, 6, 28 (2014)
  4. A. Krotkus, K. Bertulis, L. Dapkus, U. Olin, S. Marcinkeviv cius. Appl. Phys. Lett., 75 (21), 3336 (1999)
  5. J.-L. Coutaz, J.-F. Roux, A. Gaarder, S. Marcinkeviv cius, J. Jasinski, K. Korons, M. Kaminska, K. Bertulis, A. Krotkus. XI International Semiconducting and Insulating Materials Conf. (Canberra, Australia, 2000) p. 89
  6. G. Segschneider, F. Jacob, T. Loffler, H.G. Roskos, S. Tautz, P. Kiesel, G. Dohler. Phys. Rev. B, 65, 125205 (2002)
  7. M.C. Beard, G.M. Turner, C.A. Schmuttenmaer. J. Appl. Phys., 90 (12), 5915 (2001)
  8. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74 (9), 1269 (1999)
  9. P. Specht, S. Jeong, H. Sohn, M. Luysberg, A. Prasad, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, E.R. Weber. Mater. Sci. Forum, 258--263, 951 (1997)
  10. Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров, А.А. Ломов, Р.М. Имамов. ЖТФ, 69 (7), 68 (1999)
  11. G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
  12. L. Pavesi, F. Piazza, M. Henini, I. Harrison. Semicond. Sci. Technol., 8 (2), 167 (1993)
  13. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7 (12), 1504 (1992)
  14. K. Agawa, K. Hirakawa, N. Sakamoto, Y. Hashimoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 65 (9), 1171 (1994)
  15. Nguyen Hong Ky, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
  16. J.T. Schick, C.G. Morgan, P. Papoulias. Phys. Rev. B, 66 (19), 195302 (2002)
  17. D.J. Chadi, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 41 (8), 5444 (1990)
  18. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83 (1), 561 (1998)
  19. D. Johnston, L. Pavesi, M. Henini. Microelectronics J., 26 (8), 759 (1995)
  20. M.R. Fahy, K. Sato, B.A. Joyce. Appl. Phys. Lett., 64 (2), 190 (1994)
  21. L. Pavesi, Nguyen Hong Ky, J.D. Caniere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
  22. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
  23. M.H. Zhang, Y.F. Zhang, Q. Huang, C.L. Bao, J.M. Sun, J.M. Zhou. J. Cryst. Growth, 209 (1), 37 (2000)
  24. И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37 (9), 1072 (2003)
  25. L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2846 (1995)
  26. A. Miyagawa, T. Yamamoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, T. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237--239, 1434 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.