Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782618030119 
Галиев Г.Б.
1, Климов Е.А.
1, Клочков А.Н.
1, Пушкарев С.С.
1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: galiev_galib@mail.ru, klimov_evgenyi@mail.ru, klochkov_alexey@mail.ru, serp456207@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Исследованы электрофизические свойства и особенности фотолюминесценции однородно легированных атомами Si слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с кристаллографической ориентацией поверхности (100) и (111)А. Исследуемые образцы выращивались при одинаковом давлении As4 в интервале температур роста от 350 до 510oC. Образцы на подложках GaAs (100) имеют n-тип проводимости во всем указанном интервале температур роста, а образцы на подложках GaAs (111)A имеют p-тип проводимости в интервале температур роста 430-510oC. Спектры фотолюминесценции образцов содержат краевую и примесную полосы. Краевая фотолюминесценция соответствует фотолюминесценции вырожденного GaAs с n- и p-типом проводимости. Примесную фотолюминесценцию образцов на подложках GaAs (100) в диапазоне 1.30-1.45 эВ мы приписываем дефектам VAs и комплексам дефектов SiAs-VAs, концентрация которых изменяется с температурой роста образцов. Трансформация спектров примесной фотолюминесценции образцов на подложках GaAs (111)А интерпретирована как обусловленная изменением концентрации дефектов VAs и VGa при изменении температуры роста образцов. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45628.8589
- A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43 (27), 273001 (2010)
- H. Eusebe, J.-F. Roux, J.-L. Coutaz, A. Krotkus. J. Appl. Phys., 98 (3), 033711 (2005)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, Р.Р. Галиев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Ю.В. Федоров, А.С. Бугаев. Нано- и микросистемная техника, 6, 28 (2014)
- A. Krotkus, K. Bertulis, L. Dapkus, U. Olin, S. Marcinkeviv cius. Appl. Phys. Lett., 75 (21), 3336 (1999)
- J.-L. Coutaz, J.-F. Roux, A. Gaarder, S. Marcinkeviv cius, J. Jasinski, K. Korons, M. Kaminska, K. Bertulis, A. Krotkus. XI International Semiconducting and Insulating Materials Conf. (Canberra, Australia, 2000) p. 89
- G. Segschneider, F. Jacob, T. Loffler, H.G. Roskos, S. Tautz, P. Kiesel, G. Dohler. Phys. Rev. B, 65, 125205 (2002)
- M.C. Beard, G.M. Turner, C.A. Schmuttenmaer. J. Appl. Phys., 90 (12), 5915 (2001)
- M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74 (9), 1269 (1999)
- P. Specht, S. Jeong, H. Sohn, M. Luysberg, A. Prasad, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, E.R. Weber. Mater. Sci. Forum, 258--263, 951 (1997)
- Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Ю.В. Слепнев, Ю.В. Хабаров, А.А. Ломов, Р.М. Имамов. ЖТФ, 69 (7), 68 (1999)
- G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
- L. Pavesi, F. Piazza, M. Henini, I. Harrison. Semicond. Sci. Technol., 8 (2), 167 (1993)
- F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7 (12), 1504 (1992)
- K. Agawa, K. Hirakawa, N. Sakamoto, Y. Hashimoto, T. Ikoma. Appl. Phys. Lett., 65 (9), 1171 (1994)
- Nguyen Hong Ky, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 83 (2), 718 (1998)
- J.T. Schick, C.G. Morgan, P. Papoulias. Phys. Rev. B, 66 (19), 195302 (2002)
- D.J. Chadi, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 41 (8), 5444 (1990)
- M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83 (1), 561 (1998)
- D. Johnston, L. Pavesi, M. Henini. Microelectronics J., 26 (8), 759 (1995)
- M.R. Fahy, K. Sato, B.A. Joyce. Appl. Phys. Lett., 64 (2), 190 (1994)
- L. Pavesi, Nguyen Hong Ky, J.D. Caniere, F.K. Reinhart, N. Baba-Ali, I. Harrison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
- M.H. Zhang, Y.F. Zhang, Q. Huang, C.L. Bao, J.M. Sun, J.M. Zhou. J. Cryst. Growth, 209 (1), 37 (2000)
- И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37 (9), 1072 (2003)
- L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66 (21), 2846 (1995)
- A. Miyagawa, T. Yamamoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, T. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237--239, 1434 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
