"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с корневым профилем изменения состава (x=0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
Переводная версия: 10.1134/S1063782618010232
Соловьев В.А.1, Чернов М.Ю.1, Ситникова А.А.1, Брунков П.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vasol@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Представлены результаты оптимизации конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя InxAl1-xAs с большим содержанием In (x=0.05-0.83), получаемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001), с целью улучшения морфологических характеристик его поверхности и структурных свойств, а также снижения приповерхностной плотности прорастающих дислокаций. Наименьшие значения величины шероховатости поверхностного рельефа RMS=2.3 нм (на площади 10x10 мкм) и плотности прорастающих дислокаций 5·107 см-2 получены в образцах, содержащих метаморфный буферный слой с корневым профилем изменения состава по толщине. DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45331.8626
  1. F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484 (1--2), 400 (2005)
  2. C. Chen, I. Farrer, S.N. Holmes, F. Sfigakis, M.P. Fletcher, H.E. Beere, D.A. Ritchie. J. Cryst. Growth, 425, 70 (2015)
  3. Ya.V. Terent'ev, S.N. Danilov, J. Loher, D. Schuh, D. Bougeard, D. Weiss, M.V. Durnev, S.A. Tarasenko, M.S. Mukhin, S.V. Ivanov, S.D. Ganichev. Appl. Phys. Lett., 104, 101111 (2014)
  4. S.V. Sorokin, G.V. Klimko, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, M.V. Baidakova, M.A. Yagovkina, T.A. Komissarova, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 455, 83 (2016)
  5. V.A. Solov'ev, M.Yu. Chernov, B.Ya. Mel'tser, A.N. Semenov, Ya.V. Terent'ev, D.D. Firsov, O.S. Komkov, S.V. Ivanov. Tech. Phys. Lett., 42 (10), 1038 (2016)
  6. F. Romanato, E. Napolitani, A. Carnera, A.V. Drigo, L. Lazzarini, G. Salviati, C. Ferrari, A. Bosacchi, S. Franchi. J. Appl. Phys., 86, 4748 (1999)
  7. H. Choi, Y. Jeong, J. Cho, M.H. Jeon. J. Cryst. Growth, 311, 1091 (2009)
  8. Ю.Г. Галицин, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Письма ЖЭТФ, 84 (9), 596 (2006)
  9. J.J.D. Lee, K.W. West, K.W. Baldwin, L.N. Pfeiffer. J. Cryst. Growth, 356, 46 (2012)
  10. Y. Asaoka, T. Kanebishi, N. Sano, T. Kaneko. J. Cryst. Growth, 251, 40 (2003)
  11. D.J. Dunstan, P. Kidd, L.K. Howard, R.H. Dixon. Appl. Phys. Lett., 59, 3390 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.