"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения
Министерство образования и науки Украины, Радиационные эффекты в полупроводниковых датчиках, 0115U000855
Викулин И.М. 1, Горбачев В.Э. 1, Курмашев Ш.Д. 1
1Академия связи Украины, Одесса, Украина
Email: physonat@gmail.com, physonat@ukr.net
Поступила в редакцию: 26 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Исследовано влияние эффективной концентрации задающей тип проводимости базовой области примеси и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на 2 порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра, что повышает процент выхода годных приборов. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45021.8447
  1. И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1990)
  2. И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42, 113 (2008)
  3. В.М. Шарапов, Е.С. Полищук, Г.Г. Ишанин, А.Н. Гуржий, И.М. Викулин, Б.Н. Гордеев, Ю.Д. Жуков, Н.Д. Кошевой, Ш.Д. Курмашев, А.Н. Куценко, С.В. Марченко, И.Г. Минаев. Датчики (Киев, Брама, 2008)
  4. В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  5. V.V. Emtsev, P. Ehrhart, D.S. Poloskin, U. Dedek. Physica B: Condens. Matter, 273, 287 (2000)
  6. V.V. Emtsev, P. Ehrhart, D.S. Poloskin, K.V. Emtsev. J. Mater. Sci.: Mater Electron., 18, 711 (2007)
  7. Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов (М., МГИЭМ, 2001)
  8. A. Nylandsted Larsen, A. Mesli, K. Bonde Nielsen, H. Kortegaard Nielsen, L. Dobaczewski, J. Abey, R. Jones, D.W. Palmer, P.R. Briddon, S. Oberg. Phys. Rev. Lett., 97, 106402 (2006)
  9. V.V. Emtsev, N.V. Abrosimov, V.V. Kozlovskii, G.A. Oganesyan. Semiconductors, 48, 1438 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.