"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 15-02-02189
Иванов А.И.1, Небогатикова Н.А. 1, Куркина И.И. 2, Антонова И.В. 1,3,4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Северо-Восточный федеральный университет им. М.К. Аммосова, Якутск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: aiivanov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Исследован механизм резистивных переключений в плeнках частично фторированного графена. Пленки были получены на основе ряда графеновых суспензий с разным составом и различной степенью фторирования. Экспериментально обнаружена зависимость величины резистивных переключений от наличия в составе суспензии органических добавок (N-метилпирролидон и диметилформамид) и степени фторирования. Показано, что для плeнок, полученных из суспензии без органических составляющих, резистивные переключения не наблюдаются вне зависимости от степени фторирования. Максимальный эффект, ~10-20 раз, обнаружен для плeнок, содержащих диметилформамид. Предложена физическая модель пленок, согласно которой наблюдаемая зависимость связана с наличием в исследованных плeнках капсулированных функциональных групп, образованных из молекул диметилформамида, проявляющих электрическую активность. Измеренные вольт-амперные характеристики пленок наилучшим образом описываются моделью Френкеля-Пула с энергией активации центров 0.08 эВ, ответственных за проводимость. Величина переключений зависит от степени фторирования исходных суспензий. Максимальный эффект наблюдается при степени фторирования суспензии ~ CF0.25. Исследованные в работе суспензии частично фторированного графена подходят для создания приборных структур при помощи 2D-печати. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45013.8498
  1. Y. Gao, W. Shi, W. Wang, Y. Leng, Y. Zhao. Ind. Eng. Chem. Res., 53, 16777 (2014)
  2. M. Magliulo, M.Y. Mulla, M. Singh, E. Macchia, A. Tiwari, L. Torsi, K. Manoli. J. Mater. Chem. C, 3, 12347 (2015).
  3. L. Huang, Y. Huang, J. Liang, X. Wan, Y. Chen. Nano Res., 4, 675 (2011)
  4. Z. Jing, Z. Guang-Yu, S. Dong-Xia. Chin. Phys. B, 22, 057701 (2013)
  5. C.C. Lin , H.Y. Wu, N.C. Lin, C.H. Lin. Jpn. J. App. Phys., 53, 05FD03 (2014)
  6. H.Y. Jeong, J.Y. Kim, J.W. Kim, J.O. Hwang, J.E. Kim, J.Y. Lee, T.H. Yoon, B.J. Cho, S.O. Kim, R.S. Ruoff., S.Y. Choi. Nano Lett., 10, 4381 (2010)
  7. B. Standley, A. Mendez, E. Schmidgall, M. Bockrath. Nano Lett., 12, 1165 (2012)
  8. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.A. Volodin, V.Ya. Prinz. Physica E., 52, 106 (2013)
  9. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.A. Volodin, D.A. Zatsepin, E.Z. Kurmaev, I.S. Zhidkov, S.O. Cholakh. Nanotechnol. Russ., 9, 51 (2014)
  10. I. Kurkina, I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, A.N. Kapitonov, S.A. Smagulova. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095303 (2016)
  11. И.В. Антонова, И.А. Котин, В.И. Попов, Ф.Д. Васильева, А.Н. Капитонов, С.А. Смагулова. ФTП, 50, 1086 (2016)
  12. П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.С. Фефелов, А.С. Комолов, А.Н. Алешин. ФTT, 58, 2476 (2016)
  13. П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.Н. Алешин, А.С. Комолов, И.П. Щербаков, В.Н. Петров, И.Н. Трапезникова. ФTT, 57, 1639 (2015)
  14. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, V.I. Vdovin, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, E.R. Zakirova, V.G. Keslera. Phys. Chem. Chem. Phys., 17, 13257 (2015)
  15. J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nat. Nanotechol., 8, 13 (2013)
  16. I.I. Kurkina, I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, A.N. Kapitonov, S.A. Smagulova. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 095303 (2016)
  17. M. Chaumontet, R. Piccardi, N. Audic, J. Hitce, J.L. Peglion, E. Clot, O. Baudoin. J. Am. Chem. Soc., 130, 15157 (2008)
  18. A.J. Mcquillan, C.G. Pope. Chem. Phys. Lett., 71, 349 (1980)
  19. S. Ding, N. Jiao. Angew. Chem. Int. Ed., 51, 9226 (2012)
  20. Я.И. Френкель. Собр. избр. тр. T. 2. Научные статьи (М., Наука, 1958) гл. 13, с. 217
  21. R.M. Hill. Phil. Mag., 24, 1307 (1971)
  22. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ, 1997) гл. 10, с. 200
  23. В. Малиненко, О. Сергеева. Зонный и прыжковый механизмы переноса в неупорядоченных оксидах металлов: Метод. указания к лаб. pаботе (Петрозаводск, ПетрГУ, 2002)
  24. П.А. Райкерус, В.А. Лалеко. Физические основы пленочной электроники: Учеб. пособие (Петрозаводск, ПетрГУ, 1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.