"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC
Лебедев А.А.1, Бер Б.Я.1, Оганесян Г.А.1, Белов С.В.1, Лебедев С.П.1,2, Никитина И.П.1, Середова Н.В.1, Шахов Л.В.1, Козловский В.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои n-3C-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4H-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей (Vd) составила ~110 см-1. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5·1017 см-3 наблюдалась при дозах облучения ~6·1015 см-2. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4H и 6H карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой "дефектной" фотолюминесценции. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44795.8535
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. (John Wiley \& Sons, Hoboken. NJ. 2001)
  • M. Yamanaka, H. Daimond, E. Sakum, S. Misawa, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61 (2), 599 (1987)
  • A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  • D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovski, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 221 (2000)
  • http://www.cree.com/ Cree Inc.: (04.04.2017)
  • A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88 (11), 6265 (2000)
  • В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8 (5), 1602 (1966)
  • Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 11, 1408 (1981)
  • A.A. Lebedev, B.Ya. Ber, N.V. Seredova, D.Yu. Kazantsev, V.V. Kozlovski. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 485106 (2015)
  • В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП, 49 (9), 1198 (2015)
  • В.В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
  • A.S. Atem, L. Ferrier, B. Canut, N. Chauvin, G. Guillot, J.-M. Bluet. Phys. Status Solidi C, 13 (10--12), 860 (2016).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.