"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC
Лебедев А.А.1, Бер Б.Я.1, Оганесян Г.А.1, Белов С.В.1, Лебедев С.П.1,2, Никитина И.П.1, Середова Н.В.1, Шахов Л.В.1, Козловский В.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.Lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои n-3C-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4H-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей (Vd) составила ~110 см-1. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5·1017 см-3 наблюдалась при дозах облучения ~6·1015 см-2. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4H и 6H карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой "дефектной" фотолюминесценции. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44795.8535
  1. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. (John Wiley \& Sons, Hoboken. NJ. 2001)
  2. M. Yamanaka, H. Daimond, E. Sakum, S. Misawa, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61 (2), 599 (1987)
  3. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  4. D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovski, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 221 (2000)
  5. http://www.cree.com/ Cree Inc.: (04.04.2017)
  6. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  7. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk. J. Appl. Phys., 88 (11), 6265 (2000)
  8. В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8 (5), 1602 (1966)
  9. Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 11, 1408 (1981)
  10. A.A. Lebedev, B.Ya. Ber, N.V. Seredova, D.Yu. Kazantsev, V.V. Kozlovski. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 485106 (2015)
  11. В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП, 49 (9), 1198 (2015)
  12. В.В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
  13. A.S. Atem, L. Ferrier, B. Canut, N. Chauvin, G. Guillot, J.-M. Bluet. Phys. Status Solidi C, 13 (10--12), 860 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.