"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Примесные уровни в кристаллах Hg3In2Te6
Чупыра С.М.1, Грушка О.Г.1, Биличук С.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: o.grushka@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 6 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Исследованы параметры примесных уровней в образцах Hg3In2Te6, при использовании температурных зависимостей концентрации электронов n(T) и энергии Ферми EF(T), полученных по данным коэффициента Холла R(T) и термоэдс alpha(T). Приведенный дифференциальный анализ зависимостей n(T) показал, что изменяя степень компенсации с помощью термообработки образцов, можно зафиксировать более широкий спектр примесных уровней в запрещенной зоне Hg3In2Te6. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44794.8476
  • О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
  • Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., изд-во МФТИ, 1999)
  • О.Г. Грушка, А.И. Савчук, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук. ФТП, 48 (10), 1307 (2014)
  • О.Г. Грушка. ФТП, 50 (6), 735 (2016)
  • H.-J. Hoffman. Appl. Phys., 19 (3), 307 (1979)
  • К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60 (2), 867 (1971)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП, 14 (5), 825 (1980)
  • П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.