"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесные уровни в кристаллах Hg3In2Te6
Чупыра С.М.1, Грушка О.Г.1, Биличук С.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: o.grushka@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 6 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Исследованы параметры примесных уровней в образцах Hg3In2Te6, при использовании температурных зависимостей концентрации электронов n(T) и энергии Ферми EF(T), полученных по данным коэффициента Холла R(T) и термоэдс alpha(T). Приведенный дифференциальный анализ зависимостей n(T) показал, что изменяя степень компенсации с помощью термообработки образцов, можно зафиксировать более широкий спектр примесных уровней в запрещенной зоне Hg3In2Te6. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44794.8476
  1. О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
  2. Л.Н. Курбатов. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра (М., изд-во МФТИ, 1999)
  3. О.Г. Грушка, А.И. Савчук, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук. ФТП, 48 (10), 1307 (2014)
  4. О.Г. Грушка. ФТП, 50 (6), 735 (2016)
  5. H.-J. Hoffman. Appl. Phys., 19 (3), 307 (1979)
  6. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
  7. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60 (2), 867 (1971)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП, 14 (5), 825 (1980)
  9. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.