"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Монокристаллы Mn0.1Ag0.9In4.7S7.6: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение
Боднарь И.В.1, Тхан Чан Бинь1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 13 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Методом Бриджмена (вертикальный вариант) впервые выращены монокристаллы Mn0.1Ag0.9In4.7S7.6. Полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения при T=295 и 80 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Дилатометрическим методом исследовано тепловое расширение в интервале температур 80-500 K, рассчитаны коэффициенты теплового расширения, температуры Дебая и среднеквадратичные динамические смещения атомов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44791.8484
  1. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.И. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  2. A. Usujima, S. Takeuchi, S. Endo, T. Irie. Jpn. J. Appl. Phys., 20, L. 505 (1981)
  3. И.В. Боднарь,  Е.А. Кудрицкaя,  И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32, 1043 (1998)
  4. И.В. Боднарь,  В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
  5. И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 43, 1549 (2009)
  6. И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Д.В. Ложкин. ФТП, 45, 890 (2011)
  7. З. Метфессель, Д. Маттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
  8. H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
  9. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  10. И.Н. Францевич. Вопросы порошковой металлургии и прочности материалов (Киев, Наук. думка, 1956)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.