Вышедшие номера
Отклик термоэлектрических параметров пленок Bi0.5Sb1.5Te3 на вторичную рекристаллизацию
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки Bi0.5Sb1.5Te3 толщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках ~800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3-5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок Bi0.5Sb1.5Te3, после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44776.45