"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отклик термоэлектрических параметров пленок Bi0.5Sb1.5Te3 на вторичную рекристаллизацию
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки Bi0.5Sb1.5Te3 толщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках ~800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3-5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок Bi0.5Sb1.5Te3, после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44776.45
  • Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972)
  • R. Venkatasubramanian, T. Colpitts, E. Watko, M. Lamvik, N. El-Masry. J. Cryst. Growth, 170, 817 (1997)
  • M.H. Francombe. Brit. J. Appl. Phys., 9, 415 (1958)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.