Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отклик термоэлектрических параметров пленок Bi0.5Sb1.5Te3 на вторичную рекристаллизацию
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки Bi0.5Sb1.5Te3 толщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках ~800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3-5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок Bi0.5Sb1.5Te3, после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44776.45
- Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
- R. Venkatasubramanian, T. Colpitts, E. Watko, M. Lamvik, N. El-Masry. J. Cryst. Growth, 170, 817 (1997)
- M.H. Francombe. Brit. J. Appl. Phys., 9, 415 (1958)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
