Вышедшие номера
Анизотропия термоэдс в высших силицидах переходных металлов
Кузнецова В.С.1,2, Зайцев В.К.1, Соломкин Ф.Ю.1, Новиков С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vicha_110901@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Применена новая методика измерения анизотропии термоэдс с использованием поликристаллов, основанная на многократном измерении ансамбля микрокристаллов при их случайной ориентации и статистической обработке результатов измерений. С использованием поликристаллов измерена анизотропия термоэдс ряда высших силицидов переходных металлов (beta-FeSi2, легированного MnSi1.75, ReSi1.75, CrSi2). В кристаллах beta-FeSi2 может возникать очень большая величина анизотропии термоэдс, в кристаллах ReSi1.75 возможна термоэдс различного знака, в CrSi2 установлена сильная зависимость абсолютной величины термоэдс и ее анизотропии от температурных режимов термообработки. Измерены температурные зависимости электропроводности и термоэдс иголок CrSi2. Анизотропия термоэдс в них, так же как и в объемных монокристаллах, сохраняется в широком интервале температур. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44775.44