Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: stas_ordin@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.
Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых p-n-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и p-i-n-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44643.29
- Л.С. Стильбанс. Термоэлектрические явления. Полупроводники в науке и технике (М.-Л., изд-во АН СССР, 1957) т. 1, с. 113
- Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛИ, 1962)
- CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by D.M. Rowe (N.Y., CRC Press, 1994)
- С.В. Ордин, И.А. Соколов, А.Ю. Зюзин. Тр. Междунар. конф. "Термоэлектрики и их применения" (СПб., Россия, 2006) с. 41
- С.В. Ордин, Н.В. Ванг. Тр. Междунар. конф. "Термоэлектрики и их применения" (СПб., Россия, 2008) с. 55
- S.V. Ordin, N.W. Wang. Adv. Energy Res., 9, 311 (2012)
- С.В. Ордин. ФТП, 31, 1091 (1997)
- С.В. Ордин. Тр. V межгос. сем. "Материалы для термоэлектрических преобразователей" (СПб., Россия, 1997) с. 149
- S.V. Ordin, A.Yu. Zjuzin, Yu.V. Ivanov, S. Yamaguchi. ITC2010, Shanghai, China, July, 2010 (J. Electron. Mater., 2010) p. 137
- С.В. Ордин. Тр. Междунар. конф. "Термоэлектрики и их применения" (СПб., Россия, 2014) c. 199
- С.В. Ордин. Тр. XIV Междунар. конф. "Термоэлектрики и их применения" (СПб., Россия, 2014) с. 234
- С.В. Ордин и др. Тез. докл. науч.-практ. конф. "Современные тенденции и принципы построения оптико-электронных систем" (Ростехнологии, УОМЗ, Россия, 2012) с. 62
- Yu.V. Zhilyaev, S.N. Rodin. Tech. Phys. Lett., 36, 397 (2010)
- Yu.V. Zhilyaev, V.V. Zelenin, T.A. Orlova, V.N. Panteleev, N.K. Poletaev, S.N. Rodin, S.A. Snytkina. Tech. Phys. Lett., 41, 476 (2015)
- Yu.V. Zhilyaev, D.I. Mikulik, A.V. Nasonov, T.A. Orlova, V.N. Panteleev, N.K. Poletaev, L.M. Fedorov, M.P. Shcheglov. Tech. Phys. Lett., 38, 399 (2012)
- С.В. Ордин, А.И. Сомсиков. А.с. SU N 1434922 (1 июля 1988 г.)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
