Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых p-n-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и p-i-n-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44643.29

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.