"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием
Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-1404.2016.1
Орехов А.С.1,2, Клечковская В.В.1, Ракова Е.В.1, Соломкин Ф.Ю.3, Новиков С.В.3, Бочков Л.В.3, Исаченко Г.Н.3,4
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.orekhov@gmail.com, klechvv@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Природа формирования включений фазы моносилицида марганца в процессе роста кристаллов высшего силицида марганца до сих пор детально не изучена. На их количество (плотность) значительное влияние оказывают легирующие примеси. В работе была исследована структура кристаллов высшего силицида марганца, выращенных с различным содержанием германия в качестве легирующего элемента. Было выявлено, что увеличение концентрации германия до 1 ат% приводит к дроблению слоистых выделений моносилицида марганца и, одновременно с этим, к значительным изменениям термоэлектрических свойств кристалла высшего силицида марганца. Полученные данные об изменениях микроструктуры, возникающих в зависимости от концентрации германия, могут быть полезны для понимания механизма формирования фазы моносилицида марганца при росте кристаллов высшего силицида марганца. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44644.30
  1. U. Gottlieb, A. Sulpice, B. Lambert-Andron, O. Laborde. J. Alloys Comp., 361 (1--2), 13 (2003)
  2. O. Schwomma, A. Preisinger, H. Nowotny, A. Wittmann. Monatsh. Chem., 95 (6), 1527 (1964)
  3. O. Schwomma, H. Nowotny, A. Wittmann. Monatsh. Chem., 94 (4), 681 (1963)
  4. L.M. Levinson. J. Solid State Chem., 6, 126 (1973)
  5. А.С. Орехов, Е.И. Суворова. Кристаллография, 59 (1), 83 (2014). [Eng. version: A.S. Orekhov, E.I. Suvorova. Crystallography Reports, 59 (1), 78 (2014).]
  6. А.С. Орехов, Т.С. Камилов, А.С. Орехов, Н.А. Архарова, Е.В. Ракова, В.В. Клечковская. Росс. нанотехнологии, 11 (5--6), 30 (2016). [Eng. version: A.S. Orekhov, T.S. Kamilov, A.S. Orekhov, N.A. Arkharova, E.V. Rakova, V.V. Klechkovskaya. Nanotech. in Rus., 11 (9--10), 610 (2016).]
  7. Z.M. Wang, Y.D. Wu, Y.J. He. Int. J. Mod. Phys. B, 18 (1), 87 (2004)
  8. I. Aoyama, M.I. Fedorov, V.K. Zaitsev, F.Yu. Solomkin, I.S. Eremin, A.Yu. Samunin, M. Mukoujima, S. Sano, T. Tsuji. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (12), 8562 (2005)
  9. J. Goldstein, D.E. Newbury, D.C. Joy, C.E. Lyman, P. Echlin, E. Lifshin, L. Sawyer, J.R. Michael. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis (Springer Science \& Business Media, 2003) p. 690
  10. A.T. Burkov, A. Heinrich, P.P. Konstantinov, T. Nakama, K. Yagasaki. Meas. Sci. Technol., 12, 264 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.