Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием
Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-1404.2016.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.orekhov@gmail.com, klechvv@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.
Природа формирования включений фазы моносилицида марганца в процессе роста кристаллов высшего силицида марганца до сих пор детально не изучена. На их количество (плотность) значительное влияние оказывают легирующие примеси. В работе была исследована структура кристаллов высшего силицида марганца, выращенных с различным содержанием германия в качестве легирующего элемента. Было выявлено, что увеличение концентрации германия до 1 ат% приводит к дроблению слоистых выделений моносилицида марганца и, одновременно с этим, к значительным изменениям термоэлектрических свойств кристалла высшего силицида марганца. Полученные данные об изменениях микроструктуры, возникающих в зависимости от концентрации германия, могут быть полезны для понимания механизма формирования фазы моносилицида марганца при росте кристаллов высшего силицида марганца. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44644.30
- U. Gottlieb, A. Sulpice, B. Lambert-Andron, O. Laborde. J. Alloys Comp., 361 (1--2), 13 (2003)
- O. Schwomma, A. Preisinger, H. Nowotny, A. Wittmann. Monatsh. Chem., 95 (6), 1527 (1964)
- O. Schwomma, H. Nowotny, A. Wittmann. Monatsh. Chem., 94 (4), 681 (1963)
- L.M. Levinson. J. Solid State Chem., 6, 126 (1973)
- А.С. Орехов, Е.И. Суворова. Кристаллография, 59 (1), 83 (2014). [Eng. version: A.S. Orekhov, E.I. Suvorova. Crystallography Reports, 59 (1), 78 (2014).]
- А.С. Орехов, Т.С. Камилов, А.С. Орехов, Н.А. Архарова, Е.В. Ракова, В.В. Клечковская. Росс. нанотехнологии, 11 (5--6), 30 (2016). [Eng. version: A.S. Orekhov, T.S. Kamilov, A.S. Orekhov, N.A. Arkharova, E.V. Rakova, V.V. Klechkovskaya. Nanotech. in Rus., 11 (9--10), 610 (2016).]
- Z.M. Wang, Y.D. Wu, Y.J. He. Int. J. Mod. Phys. B, 18 (1), 87 (2004)
- I. Aoyama, M.I. Fedorov, V.K. Zaitsev, F.Yu. Solomkin, I.S. Eremin, A.Yu. Samunin, M. Mukoujima, S. Sano, T. Tsuji. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (12), 8562 (2005)
- J. Goldstein, D.E. Newbury, D.C. Joy, C.E. Lyman, P. Echlin, E. Lifshin, L. Sawyer, J.R. Michael. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis (Springer Science \& Business Media, 2003) p. 690
- A.T. Burkov, A. Heinrich, P.P. Konstantinov, T. Nakama, K. Yagasaki. Meas. Sci. Technol., 12, 264 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
