"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О пределе инжектирующей способности кремниевых p+-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
Мнацаканов Т.Т.1, Левинштейн М.Е.2, Шуман В.Б.2, Середин Б.М.3
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: Melev@nimis.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, оже-рекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки p+-n-перехода от уровня легирования p+-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44564.8403
  1. Landoldt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (Springer, Berlin, 1987) v. 22a
  2. M.E. Levinshtein, S.L Rumyantsev, M.S. Shur (eds). Handbook Series of Semiconductor Parameters, v. 1: Elementary Semiconductors and A3B5 Compounds (World Sci. Publ. Co, Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, 1996)
  3. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov. IEEE Trans. Electron Dev., 49, 702 (2002)
  4. A. Herlet. Sol. St. Electron., 11, 717 (1968)
  5. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Techn., 26, 055024 (2011)
  6. И.В. Грехов, А.Е. Отблеск. РЭ, 19, 1483 (1974)
  7. T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
  8. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  9. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
  10. J.W. Slotboom, H.C. de Graaf. Sol. St. Electron., 19, 857 (1976)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, Inc. N.Y., 1981)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.