"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
Клочко Н.П.1, Копач В.Р.1, Хрипунов Г.С.1, Корсун В.Е.1, Волкова Н.Д.2, Любов В.Н.1, Кириченко М.В.1, Копач А.В.1, Жадан Д.О.1, Отченашко А.Н.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт", Харьков, Украина
Email: klochko_np@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365-370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление Rsh· Sc=879 Ом · см2, последовательное сопротивление Rs· Sc=8.5 Ом · см2, коэффициент выпрямления диода K=17.6, высота выпрямляющего барьера p-n-перехода Phi=1.1 эВ, коэффициент идеальности диода eta=2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0<U<0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J0 составили 6.4·10-6 мА · см-2 для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7·10-3 мА · см-2 для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44563.8450
  1. T.J. Marks. Transparent electronics: from synthesis to applications, ed. by A. Facchetti (United Kingdom, John Wiley \& Sons, Ltd., 2010)
  2. C.W. Litton, D.C. Reynolds, T.C. Collins. Zinc oxide materials for electronic and optoelectronic device applications (United Kingdom, John Wiley \& Sons, Ltd., 2011)
  3. H. Morkoc, U. Ozgur. Zinc Oxide: Fundamentals, Materials and Device Technology (Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, 2009)
  4. J. Zhu, R. Pandey, M. Gu. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 475503 (2012)
  5. Z. Yang, M. Wang, J. Ding, Z. Sun, L. Li, J. Huang, J. Liu, J. Shao. ACS Appl. Mater. Interfaces, 7 (38), 21235 (2015)
  6. S.M. Hatch, J. Briscoe, S. Dunn. Adv. Mater., 25, 867 (2013)
  7. C. Liu, M. Peng, A. Yu, J. Liu, M. Song, Y. Zhang, J. Zhai. Nano Energy, 26, 417 (2016)
  8. J. Liu, Y. Zhang, C. Liu, M. Peng, A. Yu, J. Kou, W. Liu, J. Zhai, J. Liu. Nanoscale Res. Lett., 11 (281), 1 (2016)
  9. K. Ding, Q.C. Hu, D.G. Chen, Q.H. Zheng, X.G. Xue, F. Huang. IEEE Electron Dev. Lett., 33 (12), 1750 (2012)
  10. F.-L. Schein, H. Wenckstern, M. Grundmann. Appl. Phys. Lett., 102, 092109 (2013)
  11. N. Yamada, R. Ino, Y. Ninomiya. Chem. Mater., 28 (14), 4971 (2016)
  12. Z. Yang, M. Wang, S. Shukla, Y. Zhu, J. Deng, H. Ge, X.Wang, Q. Xiong. Sci. Rep., 5, 11377 (2015)
  13. C. Yang, M. Kneib, F.-L. Schein, M. Lorenz, M. Grundmann. Sci. Rep., 6, 21937 (2016)
  14. C. Xiong, R. Yao. Optik, 126, 1951 (2015)
  15. Z. Hotra, P. Stakhira, V. Cherpak, D. Volynyuk, L.Voznyak, V. Gorbulyk, B. Tsizh. Photon. Lett. Poland, 4 (1), 35 (2012)
  16. S.A. Mohamed, J. Gasiorowski, K. Hingerl, D.R.T. Zahn, M.C. Scharber, S.S.A. Obayya, M.K. El-Mansy, N.S. Sariciftci, D.A.M. Egbe, P. Stadler. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 143, 369 (2015)
  17. M. Grundmann, F.-L. Schein, M. Lorenz, T. Bontgen, J. Lenzner, H. Wenckstern. Phys. Status Solidi A, 210 (9), 1671 (2013)
  18. A.R. Kumarasinghe, W.R. Flavell, A.G. Thomas, A.K. Mallick, D. Tsoutsou, C. Chatwin, S. Rayner, P. Kirkham, S. Warren. J. Chem. Phys., 127, 114703 (2007)
  19. K.T. Butler. Phys. Status Solidi A, 212 (7), 1461 (2015)
  20. C. Xiong, R. Yao. Optik, 126, 1951 (2015)
  21. Y.-H. Yan, Y.-C. Liu, L. Fang, Z.-C. Lu, Z.-B. Li, S.-X. Zhou. Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 21, 359 (2011)
  22. B.R. Sankapal, E. Goncalves, A. Ennaoui, M.C. Lux-Steiner. Thin Sol. Films, 451--452, 128 (2004)
  23. R.N. Bulakhe, N.M. Shinde, R.D. Thorat, S.S. Nikam, C.D. Lokhande. Current Appl. Phys., 13, 1661 (2013)
  24. B.R. Sankapal, A. Ennaoui, T. Guminskaya, T. Dittrich, W. Bohne, J. Rfhrich, E. Strub, M.C. Lux-Steiner. Thin Sol. Films, 480--481, 142 (2005)
  25. S.L. Dhere, S.S. Latthe, C. Kappenstein, S.K. Mukherjee, A.V. Rao. Appl. Surf. Sci., 256, 3967 (2010)
  26. Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Ю.А. Мягченко, Е.Е. Мельничук, В.Р. Копач, Е.С. Клепикова, В.Н. Любов, А.В. Копач. ФТП, 48 (4), 549 (2014)
  27. Н.П. Клочко, Е.С. Клепикова, Г.С. Хрипунов, Н.Д. Волкова, В.Р. Копач, В.Н. Любов, М.В. Кириченко, А.В. Копач. ФТП, 49 (2), 219 (2015)
  28. N.P. Klochko, K.S. Klepikova, I.I. Tyukhov, Y.O. Myagchenko, E.E. Melnychuk, V.R. Kopach, G.S. Khrypunov, V.M. Lyubov, A.V. Kopach, V.V. Starikov, M.V. Kirichenko. Solar Energy, 117, 1 (2015)
  29. N.P. Klochko, K.S. Klepikova, I.I. Tyukhov, Y.O. Myagchenko, E.E. Melnychuk, V.R. Kopach, G.S. Khrypunov, V.M. Lyubov, A.V. Kopach. Solar Energy, 120, 330 (2015)
  30. Н.П. Клочко, Е.С. Клепикова, В.Р. Копач, Г.С. Хрипунов, Ю.А. Мягченко, Е.Е. Мельничук, В.Н. Любов, А.В. Копач. ФТП, 50 (3), 357 (2016)
  31. V.R. Kopach, K.S. Klepikova, N.P. Klochko, I.I. Tyukhov, G.S. Khrypunov, V.E. Korsun, V.M. Lyubov, A.V. Kopach, R.V. Zaitsev, M.V. Kirichenko. Solar Energy, 136, 23 (2016)
  32. F. Chowdhury. J. Electron Dev., 10, 448 (2011)
  33. С.В. Цыбуля. Введение в структурный анализ нанокристаллов (Новосибирск, НГУ, 2008)
  34. Y. Peng, N. Yaacobi-Gross, A.K. Perumal, H.A. Faber, G. Vourlias, P.A. Patsalas, D.D.C. Bradley, Z. He, T.D. Anthopoulos. Appl. Phys. Lett., 106, 243302 (2015)
  35. A. Axelevitch, G. Golan. Facta Universitatis. Series: Electronics and Energetics, 26 (3), 187 (2013)
  36. B. Ghosh, S. Chowdhury, P. Banerjee, S. Das. Thin Sol. Films, 519, 3368 (2011)
  37. N.P. Klochko, O.V. Lukianova, V.R. Kopach, I.I. Tyukhov, N.D. Volkova, G.S. Khrypunov, V.M. Lyubov, M.M. Kharchenko, M.V. Kirichenko. Solar Energy, 134, 156 (2016)
  38. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and metal-semiconductor junctions (USA, N.Y., Academic Press, 1972)
  39. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  40. З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, Б.В. Кушнир, В.В. Нетяга, В.В. Хомяк. Технология и конструирование в электрон. аппаратуре, N 5--6, 50 (2015)
  41. K. Ding, Q.C. Hu, D.G. Chen, Q.H. Zheng, X.G. Xue, F. Huang. IEEE Electron Dev. Lett., 33 (12), 1750 (2012)
  42. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 44 (6), 822 (2010)
  43. В.В. Брус, М.И. Илащук, И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 48 (4), 504 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.