"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия
Власов А.С.1, Карлина Л.Б.1, Комисаренко Ф.Э.2,3, Анкудинов А.В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlasov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Представлены результаты исследований поверхности GaAs в присутствии сурфактантов индия и фосфора. Показано, что в результате их диффузии (отжига) при температуре 650-670oC в приповерхностной области GaAs образуются кластеры, обогащенные индием. Кластеры проявляются в виде светлых пятен в изображении, полученном с помощью внутрилинзового детектора на сканирующем электронном микроскопе. В то же время исследования морфологии этой поверхности с помощью атомно-силового микроскопа обнаружили уменьшение значения среднеквадратичной шероховатости поверхности после процесса отжига (диффузии), что указывает на внедрение атомов индия в кристаллическую решетку GaAs. Кластеры ответственны за изменения в спектрах рамановского рассеяния: наблюдаются увеличение интенсивности сигнала, вызванное эффектом поверхностно-усиленного (гигантского) рамановского рассеяния, и сдвиг частоты колебаний в приповерхностной области. Обнаружено, что эффект формирования кластеров обусловлен как кристаллографической ориентацией поверхности, так и технологическими условиями ее подготовки. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44461.8453
  • H. Morotaand, S. Adachia. J. Appl. Phys., 105, 123520 (2009)
  • J.J.D. Lee, K.W. West, K.W. Baldwin, L.N. Pfeiffer. J. Cryst. Growth, 356, 46 (2012)
  • S. Karkare, I. Bazarov, L. Cultrera, A. Iyer, X. Liu, W. Schaff. Proc. 2011 Particle Accelerator Conf. (Nrw York, NY, USA) THP192 (2011)
  • D. Won, X. Weng, J.M. Redwing. Appl. Phys. Lett., 100, 021913 (2012)
  • F. Wang, S.P. Yip, N. Han, K.W. Fok, H. Lin, J.J. Hou, G. Dong, T.F. Hung, K.S. Chan, J.C. Ho. Nanotechnology, 24, 375202 (2013)
  • X.Z. Shang, W.C. Wang, S.D. Wu, Z.G. Xing, L.W. Guo, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Semicond. Sci. Technol., 19, 519 (2004)
  • L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev. J. Cryst. Growth, 432, 133 (2015)
  • L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev, E.P. Marukhina. J. Cryst. Growth, 380, 138 (2013)
  • K. Kneipp, M. Moskovits, H. Kneipp (Eds) Surface-Enhanced Raman Scattering: Physics and Applications (Springer, 2006)
  • J.M. Baranowski, P. Wojcik. Acta Phys. Polon. A, 82, 670 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.