"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия
Власов А.С.1, Карлина Л.Б.1, Комисаренко Ф.Э.2,3, Анкудинов А.В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlasov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Представлены результаты исследований поверхности GaAs в присутствии сурфактантов индия и фосфора. Показано, что в результате их диффузии (отжига) при температуре 650-670oC в приповерхностной области GaAs образуются кластеры, обогащенные индием. Кластеры проявляются в виде светлых пятен в изображении, полученном с помощью внутрилинзового детектора на сканирующем электронном микроскопе. В то же время исследования морфологии этой поверхности с помощью атомно-силового микроскопа обнаружили уменьшение значения среднеквадратичной шероховатости поверхности после процесса отжига (диффузии), что указывает на внедрение атомов индия в кристаллическую решетку GaAs. Кластеры ответственны за изменения в спектрах рамановского рассеяния: наблюдаются увеличение интенсивности сигнала, вызванное эффектом поверхностно-усиленного (гигантского) рамановского рассеяния, и сдвиг частоты колебаний в приповерхностной области. Обнаружено, что эффект формирования кластеров обусловлен как кристаллографической ориентацией поверхности, так и технологическими условиями ее подготовки. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44461.8453
  1. H. Morotaand, S. Adachia. J. Appl. Phys., 105, 123520 (2009)
  2. J.J.D. Lee, K.W. West, K.W. Baldwin, L.N. Pfeiffer. J. Cryst. Growth, 356, 46 (2012)
  3. S. Karkare, I. Bazarov, L. Cultrera, A. Iyer, X. Liu, W. Schaff. Proc. 2011 Particle Accelerator Conf. (Nrw York, NY, USA) THP192 (2011)
  4. D. Won, X. Weng, J.M. Redwing. Appl. Phys. Lett., 100, 021913 (2012)
  5. F. Wang, S.P. Yip, N. Han, K.W. Fok, H. Lin, J.J. Hou, G. Dong, T.F. Hung, K.S. Chan, J.C. Ho. Nanotechnology, 24, 375202 (2013)
  6. X.Z. Shang, W.C. Wang, S.D. Wu, Z.G. Xing, L.W. Guo, W.X. Wang, Q. Huang, J.M. Zhou. Semicond. Sci. Technol., 19, 519 (2004)
  7. L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev. J. Cryst. Growth, 432, 133 (2015)
  8. L.B. Karlina, A.S. Vlasov, B.Y. Ber, D.Y. Kazantsev, E.P. Marukhina. J. Cryst. Growth, 380, 138 (2013)
  9. K. Kneipp, M. Moskovits, H. Kneipp (Eds) Surface-Enhanced Raman Scattering: Physics and Applications (Springer, 2006)
  10. J.M. Baranowski, P. Wojcik. Acta Phys. Polon. A, 82, 670 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.