Вышедшие номера
О фотопроводимости TlInSe2
Исмайлов Н.Д.1, Абилов Ч.И.1, Гасанова М.С.1
1Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
Email: ismailovnamik@yahoo.com
Поступила в редакцию: 25 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Исследованы вольт-амперные, люксамперные характеристики и кинетика релаксации фотопроводимости монокристаллов TlInSe2. Наблюдаемые аномально большие времена релаксации, tau~103 c, и другие особенности фотопроводимости объясняются по барьерной теории неоднородных полупроводников. Определена высота дрейфового Edr~0.1 эВ и рекомбинационного Er~0.45 эВ барьеров. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44425.8182