"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл-полупроводник
Аскеров Ш.Г.1, Абдуллаева Л.К.1, Гасанов М.Г.1
1Бакинский государственный университет, НИИ проблем физики, AZ Баку, Азербайджан
Email: ashahlar@hotmail.com
Поступила в редакцию: 20 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Сделана попытка объяснить причину расхождения высоты барьера для одного и того же контакта металл-полупроводник в работах различных авторов. Предполагалось, что эта проблема в основном связана со структурной неоднородностью металла, в результате чего контакт становится параллельным соединением многочисленных субконтактов, имеющих различные параметры. Для выявления влияния неоднородности металла на свойства контакта исследована зависимость высоты барьера диодов Шоттки от площади контакта. Предполагалось, что в случае контакта монокристаллического полупроводника с поликристаллическим металлом c ростом площади растут степень неоднородности и соответственно число субконтактов. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44418.8363
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1, с. 34
  • П.Н. Крылов. Вестн. Удм. гос. ун-та. Физика, N 4, 1 (2006)
  • В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов (Киев, Наук. думка, 1981) с. 146
  • Ш.Г. Аскеров. Радиотехника и электроника, 31 (11), 2296 (1986)
  • Ш.Г. Аскеров. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, N 1, 57 (1978)
  • Ш.Г. Аскеров. Письма ЖТФ, 3 (18), 968 (1977)
  • Ш.Г. Аскеров, Г.Г. Кадимов. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, N 2, 21 (1986)
  • Ш.Г. Аскеров. Матер. III Всес. науч.-техн. сем. (Рязань, 1984) с. 122
  • А.Ю. Лоскутов, М.С. Михайлов. Основы теории сложных систем (Москва-Ижевск, 2007) с. 17
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.