Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360

Пархоменко Г.П.¹, Солован М.Н.¹, Мостовой А.И.¹, Ульяницкий К.С.¹, Марьянчук П.Д.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine

Email: h.parkhomenko@chnu.edu.ua

Поступила в редакцию: 28 июня 2016 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных - туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V_oc=0.26 В и ток короткого замыкания I_sc=58.7 мкА/см² при интенсивности освещения 80 мВт/см². DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360

М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорг. матер., 48 (10) 1026 (2012)
V.V. Brus, L.J. Pidkamin, S.L. Abashin, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.M. Chugai. Optical Mater., 34 (11), 1940 (2012)
H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Yamada. Thin Sol. Films, 236 (1), 27 (1993)
M. Guziewicz, J. Grochowski, M. Borysiewicz, E. Kaminska, J.Z. Domagala, W. Rzodkiewicz, B. Witkowski, R. Golaszewska, R. Kruszka, M. Ekielski, A. Piotrowska. Opt. Appl., 41 (2), 431 (2011)
A.A. Al-Ghamdi, W.E. Mahmoud, S.J. Yaghmour, F.M. Al-Marzouki. J. Alloys Comp., 486 (1), 13 (2009)
A. Chrissanthopoulos, S. Baskoutas, N. Bouropoulos, V. Dracopoulos, P. Poulopoulos, S.N. Yannopoulos. Photonics and Nanostructures-Fundamentals Appl., 9 (2), 132 (2011)
Physics and chemistry of II-VI compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (Noord-Hollandsche UM, 1967)
M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso, N.M. Gavaleshko. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 346 (2016)
J. Britt, C. Ferekides. Appl. Phys. Lett., 62 (22), 2851 (1993)
В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 46 (9), 1175 (2012)
К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N.Y., 1981)]
B. Subramanian, M.M. Ibrahim, V. Senthilkumar, K.R. Murali, V.S. Vidhya, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran. Physica B: Condens. Matter, 403 (21), 4104 (2008)
V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 28 (2), 025013 (2013)
M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin. Semicond. Sci. Technol., 29 (1), 015007 (2013)
S.M. Sze, K. Kwok. Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn (New Jersey, Wiley, 2007)
L.A. Kosyachenko, X. Mathew, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Solar Energy, 80 (2), 148 (2006)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель