"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
Пархоменко Г.П.1, Солован М.Н.1, Мостовой А.И.1, Ульяницкий К.С.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Email: h.parkhomenko@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 28 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных - туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc=0.26 В и ток короткого замыкания Isc=58.7 мкА/см2 при интенсивности освещения 80 мВт/см2. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360
  1. М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, В.В. Брус, О.А. Парфенюк. Неорг. матер., 48 (10) 1026 (2012)
  2. V.V. Brus, L.J. Pidkamin, S.L. Abashin, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, O.M. Chugai. Optical Mater., 34 (11), 1940 (2012)
  3. H. Sato, T. Minami, S. Takata, T. Yamada. Thin Sol. Films, 236 (1), 27 (1993)
  4. M. Guziewicz, J. Grochowski, M. Borysiewicz, E. Kaminska, J.Z. Domagala, W. Rzodkiewicz, B. Witkowski, R. Golaszewska, R. Kruszka, M. Ekielski, A. Piotrowska. Opt. Appl., 41 (2), 431 (2011)
  5. A.A. Al-Ghamdi, W.E. Mahmoud, S.J. Yaghmour, F.M. Al-Marzouki. J. Alloys Comp., 486 (1), 13 (2009)
  6. A. Chrissanthopoulos, S. Baskoutas, N. Bouropoulos, V. Dracopoulos, P. Poulopoulos, S.N. Yannopoulos. Photonics and Nanostructures-Fundamentals Appl., 9 (2), 132 (2011)
  7. Physics and chemistry of II-VI compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (Noord-Hollandsche UM, 1967)
  8. M.M. Solovan, V.V. Brus, A.I. Mostovyi, P.D. Maryanchuk, E. Tresso, N.M. Gavaleshko. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 346 (2016)
  9. J. Britt, C. Ferekides. Appl. Phys. Lett., 62 (22), 2851 (1993)
  10. В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий. ФТП, 46 (9), 1175 (2012)
  11. К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: K.L. Chopra, S.R. Das. Thin film solar cells (Plenum Press, N.Y., 1981)]
  12. B. Subramanian, M.M. Ibrahim, V. Senthilkumar, K.R. Murali, V.S. Vidhya, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran. Physica B: Condens. Matter, 403 (21), 4104 (2008)
  13. V.V. Brus. Semicond. Sci. Technol., 28 (2), 025013 (2013)
  14. M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin. Semicond. Sci. Technol., 29 (1), 015007 (2013)
  15. S.M. Sze, K. Kwok. Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn (New Jersey, Wiley, 2007)
  16. L.A. Kosyachenko, X. Mathew, V.V. Motushchuk, V.M. Sklyarchuk. Solar Energy, 80 (2), 148 (2006)
  17. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) [Пер. с англ.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.