"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe
Нуриев И.Р.1, Мехрабова М.А.2, Назаров А.М.1, Садыгов Р.М.1, Гасанов Н.Г.3
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт pадиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, A, Баку, Азербайджан
3Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Email: m.mehrabova@science.az
Поступила в редакцию: 28 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Проведено исследование структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных на стеклянных подложках без компенсации и с компенсацией дополнительным источником паров Те в процессе роста. Определены оптимальные условия (Tso=1000-1100 K, Tsu=570-670 K) получения эпитаксиальных пленок с совершенной структурой и чистой, гладкой поверхностью, без включения второй фазы. Установлено, что на стеклянных подложках эпитаксиальные пленки растут плоскостью (111) кубической границентрированной решетки с параметром a=6.481 Angstrem. Регулированием температуры основного и компенсирующего источников получены пленки CdTe c n- и p-типом проводимости. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.7947
  1. I.M. Dharmadasa, P.A. Bingham, O.K. Echendu, H.I. Salim, T. Druffel, R. Dharmadasa, G.U. Sumanasekera, R.R. Dharmasena, M.B. Dergacheva, K.A. Mit, K.A. Urazov, L. Bowen, M. Walls, A. Abbas. Coatings, 4, 380, (2014)
  2. В.В. Брус, М.Н. Солован, Э.В. Майструк, И.П. Козлярский, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, J. Rappich. ФТТ, 56 (10), 1886 (2014)
  3. Y. Cui, A. Bolotnikov, A. Hossain, G. Camarda, A. Mycielski, G. Yang, D. Kochanowska, M. Witkowska-Baran, R.B. James. Brookhaven National Laboratory (2008), www.bnl.gov/isd/documents/43404.pdf
  4. I. Salaoru, P.A. Buffat, D. Laub, A. Amariei, N. Apetroaet, M. Rusu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (3), 936 (2006)
  5. R. Zhang, I. Bhat. J. Electron. Mater., 30 (11), 1370 (2001)
  6. M.M. Al-Jassim, Y. Yan, H.R. Moutinbo, M.J. Romero, D.R. Dhere, K.M. Jones. Thin Solid Films, 387, 246 (2001)
  7. G.V. Beketov. Proc. SPIE, 3880, 448 (1999)
  8. T.L. Chu, S.S. Chu. Sol. St. Electron., 38, 533 (1995)
  9. H.R. Moutinho, F.S. Hasoon, F. Abulfotuh, L.L. Kazmerski. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 2877 (1995)
  10. S. Chandra, S. Tripura Sundari, G. Raghavan, A.K. Tyagi. J. Phys. D, 36, 2121 (2003)
  11. A. Gupta, V. Parikh, A.D. Compaan. Solar Energy Mater. Solar Cells, 90, 2263 (2003)
  12. A. Azan, A.S. Ahmed, M. Charman, A.H. Naqvi. J. Appl. Phys., 108, 094329 (2010)
  13. V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky. Semicond. Sci. Technol., 26, 125006 (2011)
  14. V.V. Brus. Solar Energy, 86, 1600 (2012)
  15. В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук. ЖТФ, 82 (8), 110 (2012)
  16. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 47, 1185 (2013)
  17. М.Н. Солован, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук. ФТП, 48, 232 (2014)
  18. M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, T.B. Taghiyev, R.M. Sadigov, A.M. Nazarov, N.I. Huseynov. Int. J. Mater. Sci. Appl., 3 (6-1), 20 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.