Вышедшие номера
Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)B-(2sqrt(3)sqrt орт.
Бекенев В.Л.1, Зубкова С.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: bekenev@ipms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры 4 вариантов полярной поверхности CdTe (111)B-(23x4) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для 4 вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8226