"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)B-(2sqrt(3)sqrt орт.
Бекенев В.Л.1, Зубкова С.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: bekenev@ipms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры 4 вариантов полярной поверхности CdTe (111)B-(23x4) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для 4 вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8226
  1. Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990) гл. 4, с. 69 [Пер. с англ.: A. Zangwill. Physics at surfaces (Cambridge, University Press, 1988)]
  2. К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006) гл. 3-6, с. 67 [Пер. с англ.: K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Katayama. Surface science (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2003)]
  3. G.P. Srivastava. Theoretical modeling of semiconductor surfaces (Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, World Scientific, 1999), Chap. 8, p. 201
  4. R. Duszak, S. Tatarenko, J. Cibert, K. Saminadayar, C. Deshayes. J. Vac. Sci. Technol. A, 9 (6), 3025 (1991)
  5. С.K. Egan. Morphology, structure, electronic properties of CdTe surfaces studied by scanning tunneling microscopy. Durham theses (Durham University, 2011)
  6. C.K. Egan, Q.Z. Jiang, A.W. Brinkman. J. Vac. Sci. Technol. A, 29 (1), 011021 (2011)
  7. J. Li, J. Gayles, N. Kioussis, Z. Zhang, C. Grein, F. Aqariden. J. Eectron. Mater., 41 (10), 2745 (2012)
  8. С.М. Зубкова, Л.Н. Русина. Докл. НАНУ, N 1, 72 (2014)
  9. В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТТ, 57, 1830 (2015)
  10. L. Zhu, K.L. Yao, Z.L. Liu, Y.B. Li. J. Phys.: Condens Matter, 21 (9), 095001 (2009)
  11. А. Ohtake, J. Nakamura, T. Komura, T. Hanada, T. Yao, H. Kuramochi, M. Ozeki. Phys. Rev. B, 64 (4), 045318 (2001)
  12. О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова. Письма ЖЭТФ, 89 (4), 209 (2009)
  13. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. DalCorso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens Matter, 21 (39), 395 502 (2009)
  14. K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn., 59 (10), 3455 (1990)
  15. Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук, О.Л. Маслянчук. ФТП, 45 (10), 1323 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.