"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии
Пузанов А.С.1, Оболенский С.В.1, Козлов В.А.1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Проведен анализ переноса электронов через тонкую базу гетеробиполярного транзистора на основе GaAs с учетом флуктуаций пространственного распределения кластеров радиационных дефектов при облучении потоком мгновенных нейтронов спектра деления. Теоретически показано, что однородное заполнение кластерами радиационных дефектов рабочей области приводит к минимальной деградации коэффициента усиления гетеробиполярного транзистора по постоянному току.
  1. И.М. Дремин, О.В. Иванов, В.А. Нечитайло, Н.М. Соболевский, А.В. Субботин, В.П. Шевелько. ЖЭТФ, 125 (2), 362 (2004)
  2. В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов. Вестн. ННГУ, N 2 (1), 56 (2013)
  3. В.Н. Афанасьев, В.Б. Бычков, А.В. Кедров, А.В. Лыжин, О.А. Мингазов, В.П. Пудов, А.К. Серебряков. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. N 3--4, 119 (2001)
  4. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 49 (1), 71 (2015)
  5. С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 33 (2), 153 (2004)
  6. В.Т. Громов, М.А. Китаев, Е.В. Киселева, В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.П. Шукайло. Микроэлектроника, 34 (6), 424 (2005)
  7. J.P. Biersak et al. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
  8. Е.Г. Григорьев, Ю.А. Перлович, Г.И. Соловьев, А.Л. Удовский, В.Л. Якушин. Физическое материаловедение. Том 4. Физические основы прочности. Радиационная физика твердого тела. Компьютерное моделирование (М., МИФИ, 2008)
  9. Г.Г. Бартоломей, В.Д. Байбаков, М.С. Алтухов, Г.А. Бать. Основы теории и методы расчета ядерных энергетических реакторов (М., Энергоатомиздат, 1982)
  10. А.Н. Климов. Ядерная физика и ядерные реакторы (М., Энергоатомиздат, 1985)
  11. В.А. Козлов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник. ФТП, 46 (1), 134 (2012)
  12. К.А. Валиев, В.В. Вьюрков, А.А. Орликовский. Успехи соврем. радиоэлектроники, N 6, 7 (2010)
  13. M.V. Fischetti, S.E. Laux. Phys. Rev. B, 38 (14), 9721 (1988)
  14. C. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55 (3), 645 (1983)
  15. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  16. B.R. Gossick. J. Appl. Rhys., 30 (8), 1214 (1959)
  17. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B: Condens. Matter, 212 (4), 429 (1995)
  18. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, Е.В. Волкова, Д.Г. Павельев. ФТП, 49 (12), 1585 (2015)
  19. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18 (20), 3839 (1985)
  20. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35 (7), 769 (2001)
  21. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.