"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
Ковалевский К.А.1, Жукавин Р.Х.1, Цыпленков В.В.1, Павлов С.Г.2, Хьюберс Г.-В.2,3, Абросимов Н.В.4, Шастин В.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Берлинский университет им. Гумбольдта, Берлин,
3Институт оптических сенсорных систем DLR, Берлин,
4Институт роста кристаллов, Берлин,
Email: atan4@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Приводятся результаты экспериментального исследования поляризации терагерцового (4.9-6.4 ТГц) стимулированного излучения доноров V группы (Sb, P, As, Bi) в монокристаллическом кремнии при их накачке (фотоионизации) излучением CO2-лазера (энергия кванта 117 мэВ) в зависимости от величины одноосной деформации сжатия кристалла по оси [100]. Также обсуждается влияние направления поля волны накачки на ее эффективность.
  1. К.А. Ковалевский, Р.Х. Жукавин, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин, Н.В. Абросимов, Г. Риман, С.Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс. ФТП, 47 (2), 199 (2013)
  2. К.А. Ковалевский, Н.В. Абросимов, Р.Х. Жукавин, С.Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин. Квант. электрон., 45 (2), 113 (2015)
  3. J.C. Hensel, H. Hasegawa, M. Nakayama. Phys. Rev., 138, A225 (1965)
  4. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  5. И.Л. Бейнихес, Ш.М. Коган. ЖЭТФ, 93, (1(7) ), 285 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.