Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 12 » Статья стр. 1662
<<<>>>
Твердый раствор PbSnTe : In --- уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43896.42
Ищенко Д.В. 1, Климов А.Э. 1, Шумский В.Н. 1, Эпов В.С. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: miracle4348@gmail.com, klimov@isp.nsc.ru, shumsky@isp.nsc.ru, epov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
PDF версия
Рассмотрена модель Pb1-xSnxTe:In, основанная на представлениях теории неупорядоченных систем, проведены расчеты температурных зависимостей положения уровня Ферми и концентрации носителей заряда в зависимости от уровня легирования индием и их сравнение с экспериментальными данными. Проведен расчет нестационарных вольт-амперных характеристик в режиме инжекции из контакта и ограничения тока пространственным зарядом при различных скоростях изменения напряжения, выполнено сравнение полученных данных с экспериментом и показано, что вид характеристик определяется параметрами захвата электронов на локализованные состояния. Исследованы релаксации фототока в магнитном поле и обсужден механизм таких релаксаций в предположении о магнитном вымораживании носителей заряда.
  1. W.W. Anderson, IEEE J. Quant. Electron., QE-13 (7), 532 (1977)
  2. Б.А. Акимов, Б.А. Брандт, С.А. Богословский, Л.И. Рябова, С.М. Чудинов. Письма ЖЭТФ, 29 (1), 11 (1979)
  3. Б.М. Вул, И.Д. Воронова, Г.А. Калюжная, Т.С. Мамедов, Т.Ш. Рагимова. Письма ЖЭТФ, 29 (1), 21 (1979)
  4. В.С. Виноградов, И.Д. Воронова, Г.А. Калюжная, Т.Ш. Рагимова, А.П. Шотов. Письма ЖЭТФ, 32 (1), 22 (1980)
  5. B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. Status Solidi, 137 (9), 09 (1993)
  6. К.Г. Кристовский, А.Е. Кожанов, Д.Е. Долженко, И.И. Иванчик, D. Watson, Д.Р. Хохлов. ФТТ, 46 (1), 123 (2004)
  7. А.В. Галеева, Л.И. Рябова, А.В. Никорич, С.Д. Ганичев, С.Н. Данилов, В.В. Бельков, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 91 (1), 37 (2010)
  8. А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, Н.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский, В.С. Эпов. Автометрия, 49 (5), 86 (2013)
  9. Ю.В. Андреев, К.И. Гейман, И.А. Драбкин, А.В. Матвеенко, Е.А. Можаев, Б.Я. Мойжес. ФТП, 9 (10), 1873 (1975)
  10. И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15 (4), 625 (1981)
  11. Б.А. Волков, О.А. Панкратов. ДАН СССР, 255 (1), 93 (1980)
  12. Б.А. Волков, О.А. Панкратов. Письма ЖЭТФ, 42 (4), 145 (1985)
  13. И.И. Засавицкий, К. Лишка, Х. Хайнрих. ФТП, 19 (6), 1058 (1985)
  14. И.И. Засавицкий, Б.Н. Мацонашвили, О.А. Панкратов, В.Т. Трофимов. Письма ЖЭТФ, 19 (6), 1058 (1985)
  15. А.Н. Акимов, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов. ФТП, 50 (4), 447 (2016)
  16. В.С. Виноградов, И.Д. Воронова, Т.Ш. Рагимова, А.П. Шотов. ФТП, 15 (2), 361 (1981)
  17. В.Л. Бонч-Бруевич и др. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981) с. 11
  18. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) с. 55
  19. В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2005) с. 90
  20. P.W. Anderson. Phys.Rev., 102, 1008 (1956)
  21. M.H. Cohen, H. Fritzsche, S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 22, 1065 (1969)
  22. Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. В сб.: Тр. ФИАН им. П.Н. Лебедева (М., Наука, 1987) 177, с. 5
  23. К. Зеегер. Физика полупроводников, пер. с англ. под ред. Ю.К. Пожелы (М., Мир, 1977) с. 616

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme