"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
РФФИ, 14-02-01116
РФФИ, 16-52-50017-ЯФ_а
Новиков А.В. 1,2, Шалеев М.В.1, Юрасов Д.В.1,2, Юнин П.А.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Исследовано влияние микрошероховатости поверхности роста на критическую толщину двумерного роста напряженных SiGe-структур, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Для решеток Ge/Si, выращенных на подложках Si(001), обнаружено уменьшение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении числа периодов решетки или уменьшении толщины разделительных слоев Si, которое связывается с увеличением шероховатости поверхности роста по мере накопления в сжатых структурах упругой энергии. Сравнительные исследования роста SiGe-структур на подложках Si(001) и Ge(001) показали, что в широком диапазоне составов слоев SiGe при одинаковом по абсолютной величине рассогласовании кристаллических решеток пленки и подложки критическая толщина двумерного роста растянутых слоев значительно больше, чем сжатых.
  1. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  2. J.-N. Aqua, I. Berbezier, L. Favre, T. Frisch, A. Ronda. Phys. Reports, 522, 59 (2013)
  3. J. Tersoff, B.J. Spencer, A. Rastelli, H. von Kanel. Phys. Rev. Lett., 89, 196 104 (2002)
  4. A. Rastelli, H. von Kanel. Surf. Sci., 532, 769 (2003)
  5. A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene. Phys. Rev. Lett., 85, 3672 (2000)
  6. F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, 984 (1998)
  7. M. Brehm, F. Montalenti, M. Grydlik, G. Vastola, H. Lichtenberger, N. Hrauda, M.J. Beck, Th. Fromherz, F. Schaffler, L. Miglio, G. Bauer. Phys. Rev. B, 80, 205 321 (2009)
  8. Y.H. Xie, G.H. Gilmer, C. Roland, P.J. Silverman, S.K. Buratto, J.Y. Cheng, E.A. Fitzgerald, A.R. Kortan, S. Schuppler, M.A. Marcus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 73, 3006 (1994)
  9. D.V. Yurasov, Yu.N. Drozdov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 95, 151 902 (2009)
  10. M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Appl. Phys. Lett., 101, 151 601 (2012)
  11. D. Pachinger, H. Groiss, H. Lichtenberger, J. Stangl, G. Hesser, F. Schaffler. Appl. Phys. Lett., 91, 233 106 (2007)
  12. D. Pachinger, H. Lichtenberger, G. Chen, J. Stangl, G. Hesser, F. Schaffler. Thin Sol. Films, 517, 62 (2008)
  13. B.J. Spencer, P.W. Voorhees, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 64, 253 318 (2001)
  14. Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, В.В. Ульянов, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, N 7, 61 (2009)
  15. J.W. Matthews, A.E. Blakesley. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.