Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
РФФИ, 14-02-01116
РФФИ, 16-52-50017-ЯФ_а
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: anov@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Исследовано влияние микрошероховатости поверхности роста на критическую толщину двумерного роста напряженных SiGe-структур, выращенных на подложках Si(001) и Ge(001). Для решеток Ge/Si, выращенных на подложках Si(001), обнаружено уменьшение критической толщины двумерного роста Ge при увеличении числа периодов решетки или уменьшении толщины разделительных слоев Si, которое связывается с увеличением шероховатости поверхности роста по мере накопления в сжатых структурах упругой энергии. Сравнительные исследования роста SiGe-структур на подложках Si(001) и Ge(001) показали, что в широком диапазоне составов слоев SiGe при одинаковом по абсолютной величине рассогласовании кристаллических решеток пленки и подложки критическая толщина двумерного роста растянутых слоев значительно больше, чем сжатых.
- K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
- J.-N. Aqua, I. Berbezier, L. Favre, T. Frisch, A. Ronda. Phys. Reports, 522, 59 (2013)
- J. Tersoff, B.J. Spencer, A. Rastelli, H. von Kanel. Phys. Rev. Lett., 89, 196 104 (2002)
- A. Rastelli, H. von Kanel. Surf. Sci., 532, 769 (2003)
- A. Vailionis, B. Cho, G. Glass, P. Desjardins, D.G. Cahill, J.E. Greene. Phys. Rev. Lett., 85, 3672 (2000)
- F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, 984 (1998)
- M. Brehm, F. Montalenti, M. Grydlik, G. Vastola, H. Lichtenberger, N. Hrauda, M.J. Beck, Th. Fromherz, F. Schaffler, L. Miglio, G. Bauer. Phys. Rev. B, 80, 205 321 (2009)
- Y.H. Xie, G.H. Gilmer, C. Roland, P.J. Silverman, S.K. Buratto, J.Y. Cheng, E.A. Fitzgerald, A.R. Kortan, S. Schuppler, M.A. Marcus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 73, 3006 (1994)
- D.V. Yurasov, Yu.N. Drozdov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov. Appl. Phys. Lett., 95, 151 902 (2009)
- M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Appl. Phys. Lett., 101, 151 601 (2012)
- D. Pachinger, H. Groiss, H. Lichtenberger, J. Stangl, G. Hesser, F. Schaffler. Appl. Phys. Lett., 91, 233 106 (2007)
- D. Pachinger, H. Lichtenberger, G. Chen, J. Stangl, G. Hesser, F. Schaffler. Thin Sol. Films, 517, 62 (2008)
- B.J. Spencer, P.W. Voorhees, J. Tersoff. Phys. Rev. B, 64, 253 318 (2001)
- Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, В.В. Ульянов, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, N 7, 61 (2009)
- J.W. Matthews, A.E. Blakesley. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
