"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным delta-легированным Mn слоем GaAs
Калентьева И.Л.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Кудрин А.В.1, Дроздов М.Н.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Исследовано влияние термических изохронных отжигов (325-725oC) на излучательные свойства InGaAs/GaAs гетеронаноструктур, содержащих низкотемпературный delta-легированный Mn слой GaAs, выращенный методом лазерного осаждения. Наблюдается спад интенсивности фотолюминесценции и увеличение энергии основного перехода при термическом воздействии для квантовых ям, расположенных вблизи низкотемпературного слоя GaAs. Вторичной ионной масс-спектрометрией получено распределение атомов Mn в исходных и отожженных структурах. Обсуждается качественная модель наблюдаемого влияния термического отжига на излучательные свойства структур, которая учитывает наличие двух основных процессов: диффузии точечных дефектов (в первую очередь вакансий галлия) из покровного слоя GaAs в глубь структуры и диффузии Mn в обоих направлениях по диссоциативному механизму. Исследования намагниченности показали, что в результате термических отжигов происходит возрастание доли ферромагнитной при комнатной температуре фазы (предположительно, кластеров MnAs) в низкотемпературном покровном слое.
  1. S.V. Zaitsev, V.D. Kulakovskii, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Sapozhnikov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov. Physica E, 41, 652 (2009)
  2. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн., 75 (6), 56 (2008)
  3. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А.Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
  4. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
  5. R.T. Blunt. CS MANTECH Conf. (Vancouver, British Columbia, Canada) 59 (2006)
  6. P.J. Flanders. J. Appl. Phys., 63, 3940 (1988)
  7. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
  8. М.Д. Вилисова, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.Е. Торопов, В.В. Чалдышев. ФТП, 36, 1025 (2002)
  9. А.П. Горшков, И.А. Карпович, Е.Д. Павлова, И.Л. Калентьева. ФТП, 46, 194 (2012)
  10. Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 1045 (1997)
  11. И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г.Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37, 1072 (2003)
  12. L. Fu, H.H. Tan, M.B. Johnston, M. Gal, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 85, 6786 (1999)
  13. O. Hulko, D.A. Thompson, J.G. Simmons. Semicond. Sci. Technol., 24, 045 015 (2009)
  14. Yu.A. Danilov, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, I.L. Kalentieva, V.S. Dunaev. J. Spintronics and Magnetic Nanomater., 1, 82 (2012)
  15. L.M.C. Pereira, U. Wahl, S. Decoster, J.G. Correia, M.R. da Silva, A. Vantomme, J.P. Araujo. Appl. Phys. Lett., 98, 201 905 (2011)
  16. R. Schulz, T. Korn, D. Stich, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider, C. Schuller. Physica E, 40, 2163 (2008)
  17. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972) с. 383
  18. D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
  19. С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая. Изв. вузов. Физика, 28 (1), 107 (1985)
  20. J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, H.R. Chen. J. Appl. Phys., 77, 4302 (1995)
  21. K.W. Edmonds, P. Boguslawski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 92, 037 201 (2004)
  22. F. Tuomisto, K. Pennanen, K. Saarinen, J. Sadowski. Phys. Rev. Lett., 93, 055 505 (2004)
  23. F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. Handbook of Magnetic Materials, Elsevier, 14, 1 (2002)
  24. K. Lawniczak-Jablonska, J. Libera, A. Wolska, M.T. Klepka, P. Dluzewski, J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J.Z. Domagala, J. Sadowski, A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski. Phys. Status Solidi B, 248, 1609 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.