Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ангармонические блоховские осцилляции электронов в электрически смещенных сверхрешетках
РНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 16-12-10503
European comission, FP7 ITN, NOTEDEV
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Department of Physics, University of Durham, Durham, DH1 3LE, UK
5School of Engineering and Computing Sciences, University of Durham, Durham, DH1 3LE, UK
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Department of Physics, University of Durham, Durham, DH1 3LE, UK
5School of Engineering and Computing Sciences, University of Durham, Durham, DH1 3LE, UK
Email: kivanov@corp.ifmo.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Рассмотрено явление ангармонических блоховских осцилляций, т. е. имеющих частоту, кратную блоховской. При помощи расчетов из первых принципов найдена зонная структура политипов карбида кремния, где наблюдались такие осцилляции. Для этих политипов построен одномерный модельный потенциал, позволяющий рассчитывать штарковские волновые функции в смещенной сверхрешетке. С использованием метода матриц переноса найдены энергетические уровни (так называемая штарковская лестница) и вычислены волновые функции электрона. Показано, что возможны излучательные переходы как между соседними штарковскими уровнями, на блоховской частоте, так и прыжки через несколько уровней, сопровождающиеся излучением на частотах, кратных блоховской. Рассчитанные вероятности эмиссии между уровнями штарковской лестницы растут вместе с ростом приложенного поля.
- F. Bloch. Z. Phys., 52, 555 (1928)
- C. Zener. Proc. Royal Soc. (London) Ser. A, 145, 523 (1934)
- K. Leo. Semicond. Sci. Technol., 13, 249 (1998)
- P. Voisin. Ann. Phys. (Fr.), 22, 681 (1997)
- G.H. Wannier. Phys. Rev., 117, 432 (1960)
- H.M. James. Phys. Rev., 76, 1611 (1949)
- L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
- A. Sibille, J.F. Palmier, H. Wong, J.C. Esanault, F. Mollot. Phys. Rev. Lett., 64, 52 (1990)
- F. Beltram et al. Phys. Rev. Lett., 64, 3167 (1990)
- P. Voisin et al. Phys. Rev. Lett., 61, 1639 (1988)
- E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 60, 2426 (1988)
- L.S. Ramsdell. American Mineralogist, 32, 64 (1947)
- A.R. Verma, P. Krishna. Polymorphism and Polytypism in Crystals (Wiley, N. Y., 1966)
- V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Superlat. Microstr., 23, 999 (1998)
- V.I. Sankin, A.V. Andrianov, A.G. Petrov, A.O. Zakhar'in. Appl. Phys. Lett., 100, 111 109 (2012)
- M. Luban. J. Math. Phys., 26, 2386 (1985)
- A.M. Bouchard, M. Luban. Phys. Rev. B, 52, 5105 (1995)
- Г.Б. Дубровский, А.А. Лепнева. ФТП, 19, 1252 (1977)
- S.J. Clark et al. Zeitschr. fuer Kristallographie, 220 (5--6), 567 (2005)
- P.J. Hasnip et al. Phil. Trans. Royal Soc. A, 372, 20 130 270 (2014)
- A. Laref, S. Laref. Phys. Status Solidi B, 245, 89 (2008)
- M.A. Kaliteevski, D.M. Beggs, S. Brand, R.A. Abram, V.V. Nikolaev. Phys. Rev. B, 73, 033 106 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
