"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
Минобрнауки России, Федеральная целевая программа , RFMEFI61614X0008
BMBF, International cooperation with research organizations and universities of the Federal Republic of Germany, 05K2014
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 14-02-00638
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 14-02-01157
Жукавин Р.Х. 1, Ковалевский К.А. 1, Орлов М.Л.1, Цыпленков В.В.1, Hubers H.-W.2,3, Dessmann N.3, Козлов Д.В.1, Шастин В.Н.4,1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2DLR Institute of Optical Sensor Systems, Berlin, Germany
3Humboldt-Universitat zu Berlin, Institut fur Physik, Berlin, Germany
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zhur@ipmras.ru, atan4@yandex.ru, orlovm@ipmras.ru, tsyplenkov1@yandex.ru, heinz-wilhelm@huebers.de, Nils.Dessmann@dlr.de, dvkoz@ipmras.ru, shastin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Представлены данные экспериментальных исследований по наблюдению спонтанного излучения и модуляции поглощения в кремнии, легированном бором при возбуждении излучением СО2-лазера, в зависимости от величины приложенного давления вдоль кристаллографических направлений [001] и [011]. В качестве зондирующего использовалось излучение комнатной температуры. Показано, что приложение малых давлений (до 0.5 кбар) приводит к уменьшению потерь в терагерцовом спектре частот на величину порядка 20%. Основной вклад в модуляцию поглощения вызван A+-центрами при малых и нулевых давлениях и межподзонными переходами при увеличении давления, что может быть минимизировано использованием компенсированных образцов.
  1. А.А. Андронов, И.В. Зверев, В.А. Козлов, Ю.Н. Ноздрин, С.А. Павлов, В.Н. Шастин. ЖЭТФ, 40, 69 (1984)
  2. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B: Basic Sol. St. Phys., 250, 9 (2013). http://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1149211\& selid=20418518
  3. M. Rochat, L. Ajili, H.Willenberg, J. Faist, H. Beere, G. Davies, E. Linfield, D. Ritchie, Appl. Phys. Lett., 81, 1381 (2002)
  4. V.N. Smelyanskiy, A.G. Petukhov, V.V. Osipov. Phys. Rev. B, 72, 081 304 (2005)
  5. M. Fuechsle, J.A. Miwa, S Mahapatra, H. Ryu, S. Lee, O. Warschkow, L.C.L. Hollenberg, G. Klimeck, M.Y. Simmons. Nature Nanotechnology, 7, 242 (2012)
  6. S.G. Pavlov, N. Deb mann, V.N. Shastin, R.Kh. Zhukavin, B. Redlich, A.F.G. van der Meer, M. Mittendorff, S. Winnerl, N.V. Abrosimov, H. Riemann, H.W. Hubers. Phys. Rev. X, 4, 021 009 (2014)
  7. K.J. Morse, R.J.S. Abraham, D.P. Franke, N.V. Abrosimov, M.L.W. Thewalt. Phys. Rev. B, 93, 125 207 (2016)
  8. E.M. Gershenzon, A.P. Mel'nikov, R.I. Rabinovich. In: A.L. Efros, M. Pollak (eds). Electron-Electron Interactions in Disordered Systems (Elsevier Science Publishers, Amsterdam, 1985) p. 483
  9. R. Haug, E. Sigmund. Phys. Rev. B, 40, 5535 (1989)
  10. H.R. Chandrasekhar, P. Fisher, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B, 8 (8), 3836 (1973)
  11. N.Q. Vinh, B. Redlich, A.F.G. van der Meer, C.R. Pidgeon, P.T. Greenland, S.A. Lynch, G. Aepply, B.N. Murdin. Phys. Rev. X. 3, 011 019 (2013)
  12. T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83 (9), 1713 (2003)
  13. P.C. Lv, R.T. Troeger, X. Zhang, T.N. Adam, J. Kolodzey, M. A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich. J. Appl. Phys., 98, 093 710 (2005)
  14. G.B. Wright, A. Mooradian. Phys. Rev. Lett., 18, 608 (1967)
  15. R. Chandrasekhar, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B, 12, 5780 (1975)
  16. R. Buczko, F. Bassani, Phys. Rev. B, 45, 5838 (1992)
  17. N.O. Lipari, A. Baldereschi, M.L.W. Thewalt. Sol. St. Commun., 33(3), 277 (1980)
  18. J.N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, H. Riemann, S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, U. Bottger, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett., 92, 091 111 (2008)
  19. E.E. Orlova, D.V. Kozlov, A.V. Antonov, J.N. Hovenier, T.O. Klaassen, A.J.L. Adam, M.S. Kagan, I.V. Altukhov, Q.V. Nguyen, D.A. Carder, P.J. Phillips, B. Redlich. Proc. 13th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, Russia (June, 2005) p. 110
  20. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во Петербургский ин-т ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН, 1999)
  21. R.Kh. Zhukavin, S.G. Pavlov, K.A. Kovalevsky, H.W. Hubers, H. Riemann, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 97, 113 708 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.