Вышедшие номера
Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое p-n-структур кремния
Мусаев А.М.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Email: akhmed-musaev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Исследован возможный механизм выключения естественных микроплазм в кремниевых p-n-переходах. Показано, что эффект выключения не является случайным процессом, а имеет в основе определенный физический механизм. Механизм связан с формированием на концах канала микроплазменного пробоя варизонных областей, обусловленных термоупругими напряжениями, и перераспределением электрического поля в области месторасположения микроплазм.
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. (Л. Энергия, 1980) гл. 3, с. 79
  2. A.G. Chynoweth, G.L. Pearson. J. Appl. Phys. Stat., 29, 1103 (1958)
  3. V.A. Grazhulis, V.V. Kveder, V.Yu. Mukhina. Phys. Status Solidi (a), 44, 107 (1977)
  4. V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. Status Solidi (a), 72, 701 (1982)
  5. В.К. Аладинский. ФТП, 6, 2034 (1972)
  6. R. Hall, J.H. Leck. Int. J. Electr., 25, 529 (1968)
  7. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М. Наука, 1984) ч. 1
  8. А.М. Мусаев. ФТП, 49, 1160 (2015)
  9. Э. Мелан, Г. Паркус. Термоупругие напряжения вызываемые стационарными температурными полями (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1958) гл. 8, с. 111
  10. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты полупроводниках (М. Наука, 1972) гл. 5, с. 374
  11. В.Н. Добровольский, А.Д. Сырых. ФТП, 30,1395 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.