Вышедшие номера
Влияние химического состава слоев Cu-In-Ga-Se на фотопроводимость и эффективность конверсии солнечных элементов CdS/CIGSe
Новиков Г.Ф.1, Tsai Wei-Tao2, Бочаров К.В.1, Рабенок Е.В.1, Jeng Ming-Jer2, Chang Liann-Be2, Feng Wu-Shiung1, Ao Jian-Ping3, Sun Yun3
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan
3Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China
Email: ngf@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Проведено исследование влияния соотношения галлия и индия [Ga]/[In+Ga] на микроволновую фотопроводимость пленок Cu-In-Ga-Se (CIGSe) и на эффективность солнечных элементов, изготовленных по идентичной технологии. По наблюдениям полевой эмиссионной электронной микроскопии (FESEM) размер зерна уменьшался с увеличением содержания Ga. Также с увеличением содержания галлия в образцах уменьшалось время жизни фотогенерированного электрона и энергия активации микроволновой фотопроводимости. Изменения энергии активации сквозной проводимости в темноте были <20%. Анализ полученных данных показал, что известный эффект влияния градиента галлия на кпд следует связывать с модификацией внутренней структуры зерен, а не с их границами.