Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 9 » Статья стр. 1195
<<<>>>
Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III-N наноматериалов и связанные с ней явления
Петров В.Н.1, Сидоров В.Г.2, Тальнишних Н.А.3, Черняков А.Е.3, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1, Усиков А.С.4, Helava H.4, Макаров Ю.Н.4,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
5Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
PDF версия
Показано, что в наноматериалах светоизлучающих InGaN/GaN- и AlGaN/GaN-структур в проводящих протяженных дефектах и локальных неоднородностях состава твердых растворов формируется трехмерная фрактально-перколяционная система, которая определяет электрофизические свойства светодиодов, изготовленных на основе этих структур. Геометрия и свойства этой системы нелинейно зависят от степени разупорядоченности наноматериала структур, величины инжекционного тока и скорости выращивания твердых растворов.
  1. L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele, H.P. Strunk. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
  2. L.C. Le, D.G. Zhao, D.S. Jiang, L. Li, L.L. Wu, P. Chen, Z.S. Liu, J. Yang, X.J. Li, X.G. He, J.J. Zhu, H. Wang, S.M. Zhang, H. Yang. J. Appl. Phys., 114, 143 706 (2013)
  3. S.-H. Han, D.-Y. Lee, H.-W. Shim, J.W. Lee, D.-J. Kim, S. Yoon, Y.S. Kim, S.-T. Kim. Appl. Phys. Lett., 102, 251 123 (2013)
  4. Y.-R. Wu, R. Shivaraman, K.-C. Wang, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 101, 083 505 (2012)
  5. D.N. Nath, Z.C. Yang, C.-Y. Lee, P.S. Park, Y.-R. Wu, S. Rajan. Appl. Phys. Lett., 103, 022 102 (2013)
  6. K.K. Leung, W.K. Fong, P.K.L. Chan, C. Surya. J. Appl. Phys., 107, 0 731 103 (2010)
  7. A.I. Besyulkin, A.P. Kartashova, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, N.M. Shmidt, M.M. Mezdrogina, A.V. Sakharov, A.A. Sitnikova, A.L. Zakgeim, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Phys. Status Solidi C, 2, 837 (2005)
  8. N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.G. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, E.E. Zavarin. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
  9. А.Е. Морозовский, А.А. Снарский. ЖЭТФ, 95, 1844 (1989)
  10. A.V. Ankudinov, A.I. Besyulkin, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, A.A. Sitnikova, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Physica B, 340--342, 462 (2003)
  11. E.I. Shabunina, N.S. Averkiev, A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, N.M. Shmidt. Phys. Status Solidi C, 10, 335 (2013)
  12. S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, A. Usikov, H. Helava, V. Ratnikov, N. Shmidt, A. Sakharov, S. Tarasov, E. Menkovich, I. Lamkin, B. Papchenko, Yu. Makarov. Phys. Status Solidi C, 11, 813 (2014)
  13. Б.Я. Бер, Е.В. Богданова, А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.Ю. Казанцев, А.П. Карташова, А.С. Павлюченко, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45, 425 (2011)
  14. P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Furioli, Ph. Sartori, J.M.M. Osinski. Electron. Mater., 26, 311 (1997)
  15. В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
  16. D. Yan, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng. Appl. Phys. Lett., 96, 083 504 (2010)
  17. Ф.Е. Шуберт. Светодиоды, пер. под ред. А.Э. Юновича (М., Физматлит, 2008)
  18. A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, A.L. Zakheim. Microelectronics Reliab., 52, 2180 (2012)
  19. Б.Л. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1975)
  20. A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Super. Microstruct., 45, 301 (2009)
  21. C.A. Hurni, A. David, M.J. Cich, R.I. Aldaz, B. Ellis, K. Huang, A. Tyagi, R.A. DeLille, M.D. Craven, F.M. Steranka, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 106, 031 101 (2015)
  22. M.W. Moseley, A.A. Allerman, M.H. Crawford, J.J. Wierer, jr., M.L. Smith, A.M. Armstrong. J. Appl. Phys., 117, 095 301 (2015)
  23. A. Pinos, S. Marcinkevivcius, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 109, 103 108 (2011)
  24. N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, S. Contreras, W. Knap, B. Beaumont, P. Gibart. Phys. Semicond. Dev., 32 (3), 285 (1998)
  25. N. Shmidt, A. Usikov, E. Shabunina, A. Chernyakov, A. Sakharov, S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, H. Helava, Yu. Makarov. Phys. Status Solidi C, 12, 349 (2015)
  26. N. Shmidt, A. Greshnov, A. Chernyakov, M. Levinshtein, A. Zakgeim, E. Shabunina. Phys. Status Solidi C, 10, 332 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme