Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III-N наноматериалов и связанные с ней явления
Петров В.Н.1, Сидоров В.Г.2, Тальнишних Н.А.3, Черняков А.Е.3, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1, Усиков А.С.4, Helava H.4, Макаров Ю.Н.4,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
5Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
5Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
Показано, что в наноматериалах светоизлучающих InGaN/GaN- и AlGaN/GaN-структур в проводящих протяженных дефектах и локальных неоднородностях состава твердых растворов формируется трехмерная фрактально-перколяционная система, которая определяет электрофизические свойства светодиодов, изготовленных на основе этих структур. Геометрия и свойства этой системы нелинейно зависят от степени разупорядоченности наноматериала структур, величины инжекционного тока и скорости выращивания твердых растворов.
- L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele, H.P. Strunk. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
- L.C. Le, D.G. Zhao, D.S. Jiang, L. Li, L.L. Wu, P. Chen, Z.S. Liu, J. Yang, X.J. Li, X.G. He, J.J. Zhu, H. Wang, S.M. Zhang, H. Yang. J. Appl. Phys., 114, 143 706 (2013)
- S.-H. Han, D.-Y. Lee, H.-W. Shim, J.W. Lee, D.-J. Kim, S. Yoon, Y.S. Kim, S.-T. Kim. Appl. Phys. Lett., 102, 251 123 (2013)
- Y.-R. Wu, R. Shivaraman, K.-C. Wang, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 101, 083 505 (2012)
- D.N. Nath, Z.C. Yang, C.-Y. Lee, P.S. Park, Y.-R. Wu, S. Rajan. Appl. Phys. Lett., 103, 022 102 (2013)
- K.K. Leung, W.K. Fong, P.K.L. Chan, C. Surya. J. Appl. Phys., 107, 0 731 103 (2010)
- A.I. Besyulkin, A.P. Kartashova, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, N.M. Shmidt, M.M. Mezdrogina, A.V. Sakharov, A.A. Sitnikova, A.L. Zakgeim, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Phys. Status Solidi C, 2, 837 (2005)
- N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.G. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, E.E. Zavarin. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
- А.Е. Морозовский, А.А. Снарский. ЖЭТФ, 95, 1844 (1989)
- A.V. Ankudinov, A.I. Besyulkin, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, A.A. Sitnikova, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Physica B, 340--342, 462 (2003)
- E.I. Shabunina, N.S. Averkiev, A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, N.M. Shmidt. Phys. Status Solidi C, 10, 335 (2013)
- S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, A. Usikov, H. Helava, V. Ratnikov, N. Shmidt, A. Sakharov, S. Tarasov, E. Menkovich, I. Lamkin, B. Papchenko, Yu. Makarov. Phys. Status Solidi C, 11, 813 (2014)
- Б.Я. Бер, Е.В. Богданова, А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.Ю. Казанцев, А.П. Карташова, А.С. Павлюченко, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45, 425 (2011)
- P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Furioli, Ph. Sartori, J.M.M. Osinski. Electron. Mater., 26, 311 (1997)
- В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
- D. Yan, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng. Appl. Phys. Lett., 96, 083 504 (2010)
- Ф.Е. Шуберт. Светодиоды, пер. под ред. А.Э. Юновича (М., Физматлит, 2008)
- A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, P.V. Petrov, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, A.L. Zakheim. Microelectronics Reliab., 52, 2180 (2012)
- Б.Л. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1975)
- A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Super. Microstruct., 45, 301 (2009)
- C.A. Hurni, A. David, M.J. Cich, R.I. Aldaz, B. Ellis, K. Huang, A. Tyagi, R.A. DeLille, M.D. Craven, F.M. Steranka, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 106, 031 101 (2015)
- M.W. Moseley, A.A. Allerman, M.H. Crawford, J.J. Wierer, jr., M.L. Smith, A.M. Armstrong. J. Appl. Phys., 117, 095 301 (2015)
- A. Pinos, S. Marcinkevivcius, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 109, 103 108 (2011)
- N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, S. Contreras, W. Knap, B. Beaumont, P. Gibart. Phys. Semicond. Dev., 32 (3), 285 (1998)
- N. Shmidt, A. Usikov, E. Shabunina, A. Chernyakov, A. Sakharov, S. Kurin, A. Antipov, I. Barash, A. Roenkov, H. Helava, Yu. Makarov. Phys. Status Solidi C, 12, 349 (2015)
- N. Shmidt, A. Greshnov, A. Chernyakov, M. Levinshtein, A. Zakgeim, E. Shabunina. Phys. Status Solidi C, 10, 332 (2013).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
