Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
CRDF, #FSCX-14-61093-0
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
Методами спектроскопии фотолюминесценции и фотопроводимости, а также методом спектроскопии фототока p-i-n-структуры исследованы образцы с гибридной квантово-размерной средой "квантовая яма-квантовые точки" (КЯТ), выращенные на подложках GaAs. В спектрах фотопроводимости и фототока обнаружен значительный вклад уровней КЯТ, расширяющий область поглощения GaAs до 1075 нм. Поглощение и люминесценция исследованных квантово-размерных структур облaдают особенностями, характерными для квантовых ям. Анализ спектров фототока и фотопроводимости показал, что выброс носителей заряда из локализованных состояний КЯТ имеет комбинированный характер: при температурах <100 K выброс возможен с помощью туннелирования в матрицу с приложением электрического поля 40 кВ/см, а при повышении температуры включается термическая активация. Также обнаружена латеральная фотопроводимость в слоях квантово-размерных структур.
- N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Semiconductors, 32 (4), 343 (1998)
- S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20 (5), 340 (2005)
- A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimert, A. Zhukov. Optics Lett., 32 (7), 793 (2007)
- A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78 (26), 5014 (1997)
- S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Payusov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43 (4), 514 (2009).
- H. Fujii, K. Toprasertpong, Y. Wang, K. Watanabe, M. Sugiyama, Y. Nakano. Progr. Photovol.: Res. Appl., 22 (7), 784 (2014)
- S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015)
- S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26 (38), 385 202 (2015)
- P. Kailuweit, R. Kellenbenz, S.P. Philipps, W. Guter, A.W. Bett, F. Dimroth. J. Appl. Phys., 107 (6), 064 317 (2010)
- A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, B.V. Volovik, A.A. Suvorova, N.A. Bert, P.S. Kop'ev. Semiconductors, 31 (7), 722 (1997)
- N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, M.V. Maksimov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Semiconductors, 39 (10), 1188 (2005)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6 (1), 27 (1991)
- M. Paxman, J. Nelson, B. Braun, J. Connolly, K.W.J. Barnham, C.T. Foxon, J.S. Roberts. J. Appl. Phys., 74 (1), 614 (1993).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
