"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Email: ziyav@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Исследовано влияние одноосной деформации с силой до 6 кг/см2 на вольт-амперную характеристику p-Ge/n-GaAs гетероструктуры при 300 и 77 K. Найдено увеличение с давлением как прямого, так и обратного тока, причем изменение прямого тока на порядок больше, чем обратного. Исследована деформация и в зависимости от кристаллографических направлений, обнаружено, что при направлении сжатия, параллельном < 111>, эффект максимален. Результат может быть использован при создании датчиков одноосной деформации.
  1. Y. Kanda, T. Tokai, H. Kozuka. Jpn. J. Appl. Phys., 4, 701 (1965)
  2. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) с. 584
  3. W. Rindner. J. Appl. Phys., 33 (8), 2479 (1962)
  4. J.J. Wortman, J.R. Hauser, R.M. Burger. J. Appl. Phys., 35, 2122 (1964)
  5. R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.