В эпитаксиальных p⁺-слоях InSb (концентрация дырок p~1·10¹⁷-1.2·10¹⁹ см^-3), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из p-InSb, в спектральном диапазоне 5-12 мкм при 90 K проведены измерения коэффициента оптического поглощения alpha и примесной фотопроводимости (60 и 90 K) в структурах p⁺-p-типа. Установлено, что в p⁺-слоях alpha достигает значения 7000 см^-1 при p~2·10¹⁹ см^-1. Показано, что значение alpha~1-3 см^-1, измеренное в подложках, завышено по сравнению с оценками (alpha~0.1 см^-1), сделанными на основе сравнения данных по фотопроводимости. Объяснение различия состоит в том, что оптические переходы дырок, ответственные за фотопроводимость, маскируются переходами электронов в зону проводимости. Сечение фотоионизации для этих переходов не превышает 1·10^-15 см².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.