"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Данилов Л.В.1, Петухов А.А.1, Михайлова М.П.1, Зегря Г.Г.1, Иванов Э.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: danleon84@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Сообщается об исследовании электролюминесцентных свойств светодиодной гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высокими потенциальными барьерами в интервале температур 290-470 K. В эксперименте наблюдался нетипичный температурный рост мощности длинноволновой полосы люминесценции с энергией 0.3 эВ. При повышении температуры до 470 K оптическая мощность излучения увеличивалась в 1.5-2 раза. Для объяснения необычной температурной зависимости мощности излучения был проведен теоретический анализ процессов рекомбинации и переноса носителей заряда в исследуемой гетероструктуре.
  1. M. Mikhailova, N. Snjyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, Kh. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE 6585, 658 526-1-9 (2007)
  2. А.А. Петухов, Б.Е. Журтанов, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 81 (4), 91 (2011)
  3. А.А. Петухов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 82 (1), 73 (2012)
  4. К.В. Калинина, М.П. Михайлова, Б.Е. Журтанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47 (1), 75 (2013)
  5. А.А. Петухов, Б.Е. Журтанов, К.В. Калинина, Н.Д. Стоянов, Х.М. Салихов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47, 1270 (2013)
  6. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петерб. ин-т ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН", 1997)
  7. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантовых структурах (СПб., Наука, 2001)
  8. B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)
  9. S.M. Sze Physics of semiconductor devices (Wiley-Interscience, 1981)
  10. Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49, 1206 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.