Вышедшие номера
Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
Данилов Л.В.1, Петухов А.А.1, Михайлова М.П.1, Зегря Г.Г.1, Иванов Э.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: danleon84@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Сообщается об исследовании электролюминесцентных свойств светодиодной гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высокими потенциальными барьерами в интервале температур 290-470 K. В эксперименте наблюдался нетипичный температурный рост мощности длинноволновой полосы люминесценции с энергией 0.3 эВ. При повышении температуры до 470 K оптическая мощность излучения увеличивалась в 1.5-2 раза. Для объяснения необычной температурной зависимости мощности излучения был проведен теоретический анализ процессов рекомбинации и переноса носителей заряда в исследуемой гетероструктуре.