"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К модели окисления поликристаллических слоев халькогенидов свинца в иодосодержащей среде
Мараева Е.В.1, Мошников В.А.1, Петров А.А.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

На основе экспериментальных результатов по изучению закономерностей формирования наноструктурированных слоев при диффузионном отжиге на ограненных монокристаллах халькогенидов свинца подтверждены модельные представления об управлении формированием оксидных оболочек в процессе окисления. Представлены данные о распределении элементного соства по глубине слоев на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия, полученные методом оже-спектроскопии.
  1. Е.В. Мараева, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров. ФТП, 47, 1431 (2013)
  2. С.А. Олеск, А.Н. Пихтин, А.Э. Юнович. ФТП, 24, 795 (1990)
  3. А.Е. Гамарц, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФТП, 40, 683 (2006)
  4. О.А. Александрова, А.И. Максимов, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение (СПб., Технолит, 2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.