"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Лазерное отделение пленок n-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в n+-GaN подложках
Вирко М.В.1, Коготков В.С.1, Леонидов А.А.1, Вороненков В.В.2, Ребане Ю.Т.2, Зубрилов А.С.2, Горбунов Р.И.2, Латышев Ф.Е.2, Бочкарева Н.И.2, Леликов Ю.С.2, Тархин Д.В.2, Смирнов А.Н.2, Давыдов В.Ю.2, Шретер Ю.Г.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: maximum117@ya.ru, vkogotkov@mail.ru, y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Рассмотрены физические и технологические основы метода отделения слабо и умеренно легированных пленок n-GaN от сильно легированных подложек n+-GaN. В основе метода отделения лежит эффект поглощения лазерного ИК излучения на свободных носителях заряда, которое значительно сильнее в n+-GaN пленках.
  1. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, А.В. Миронов. Патент РФ N 2469433 (2012)
  2. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, А.В. Миронов. Патент РФ N 2546858 (2015)
  3. J. Cho, Z. Li, E. Bozorg-Grayeli, T. Kodama, D. Francis, F. Ejeckam, F. Faili, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. 13th IEEE ITHERM Conf. (San Diego, USA, 2012) p. 435
  4. A. Tauzin, T. Akatsu, M. Rabarot, J. Dechamp, M. Zussy, H. Moriceau, J.F. Michaud, A.M. Charvet, L.Di Cioccio, F. Fournel, J. Garrione, B. Faure, F. Letertre, N. Kernevez. Electron. Lett., 41 (11), 668 (2005)
  5. M.K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M. Stutzmann. Phys. Status Solidi A, 159 (1), R3 (1997)
  6. W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 72 (5), 599 (1998)
  7. D.J. Rogers, F.H. Teherani, A. Ougazzaden, S. Gautier, L. Divay, A. Lusson, O. Durand, F. Wyczisk, G. Garry, T. Monteiro, M.R. Correira, M. Peres, A. Neves, D. McGrouther, J.N. Chapman, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 91 (7), 071 120 (2007)
  8. Ch.F. Lin, J.J. Dai, M.Sh. Lin, K.T. Chen, W.Ch. Huang, Ch.M. Lin, R.H. Jiang, Y.Ch. Huang. Appl. Phys. Express, 3 (3), 031 001 (2010)
  9. H. Goto, S.W. Lee, H.J. Lee, H.-J. Lee, J.S. Ha, M.W. Cho, T. Yao. Phys. Status Solidi С, 5 (6), 1659 (2008)
  10. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett., 86 (7), 071 113 (2005)
  11. K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, H. Seki. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, 40 (2B), L140 (2001)
  12. J. Park, K.M. Song, S.-R. Jeon, J.H. Baek, S.-W. Ryu. Appl. Phys. Lett., 94 (22), 221907 (2009)
  13. P.R. Tavernier, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 89 (3), 1527 (2001)
  14. Е.Ю. Морозова, В.М. Лисицын, В.П. Ципилев, А.Н. Яковлев. Изв. Томского политехн. ун-та, 323(2), 173 (2013)
  15. S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors (Boston, Kluwer Academic Publishers, 1999) p. 175
  16. H. Harima. J. Phys.: Condens. Matter, 14, R967 (2002)
  17. Y. Oshima, T. Yoshida, K. Watanabe, T. Mishima. J. Cryst. Growth, 312, 3569 (2010)
  18. E. Richter, Ch. Hennig, U. Zeimer, L. Wang, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Status Solidi A, 203(7), 1658 (2006)
  19. V.V. Voronenkov, N.I. Bochkareva, R.I. Gorbunov, P.E. Latyshev, Y.S. Lelikov, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, A.S. Zubrilov, U.W. Popp, M. Strafela, H.P. Strunk, Y.G. Shreter. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 468 (2013)
  20. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova. J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15 (1), 73 (2000)
  21. X.J. Su, K. Xu, Y. Xu, G.Q. Ren, J.C. Zhang, J.F. Wang, H. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 205 103 (2013)
  22. Yu.G. Shreter, Yu.T. Rebane, A.V. Mironov. US Patent Application N 20140206178 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.