"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кирилл Борисович Толпыго (1916-1994) [1mm]
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Отмечая дату 3 мая 2016 г., мы отдаем дань уважения человеку, оставившему значительный вклад в развитие физики полупроводников в нашей стране --- исполнилось 100 лет со дня рождения выдающегося советского физика-теоретика, доктора физ.-мат. наук, профессора, члена-корреспондента Академии наук Украины Кирилла Борисовича Толпыго. -1 К. Б. Толпыго окончил Киевский государственный университет в 1939 г. Участник Великой Отечественной Войны, артиллерист, был ранен в боях под Ельней. В 1944 г. поступил в аспирантуру Института физики АН УССР (руководитель аспирантуры С. И. Пекар), с 1948 по 1960 г. работал в этом институте. В 1949 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. С момента образования в 1960 г. Института полупроводников АН УССР по 1966 г. К. Б. Толпыго работал в нем заведующим отделом теории полупроводниковых приборов. В 1962 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Одновременно с 1946 по 1966 г. К. Б. Толпыго преподавал в Киевском государственном университете, с 1960 по 1966 г. заведовал кафедрой теоретической физики. В 1963 г. утвержден в ученом звании профессора. В 1965 г. К. Б. Толпыго был избран членом-корреспондентом Академии наук Украины (по Донецкому научному центру) по специальности "теоретическая физика". Он является основателем Школы теоретической физики в Донецке --- последние 28 лет своей жизни отдал Донецкому национальному университету и Донецкому физико-техническому институту им. А. А. Галкина. С 1966 г. К. Б. Толпыго работал заведующим отделом теоретической физики в Донецком физико-техническом институте АН Украины, а с 1988 г. и до последних дней занимал должность главного научного сотрудника ДонФТИ НАН Украины. Одновременно с 1966 по 1988 г. работал профессором, заведующим кафедрой теоретической физики в Донецком государственном университете. В неполном перечне научных достижений К. Б. Толпыго прежде всего следует отметить работы по кинетическим явлениям и феноменологической теории полупроводников, теории термоэмиссии, фотоэдс p-n-переходов, поверхностных явлений. [!t] В работах 1949-1956 гг. он более последовательно, из первых принципов, рассмотрел адиабатическое приближение и предложил теорию, позволившую учитывать деформацию электронных оболочек ионов, связанную с колебаниями ядер. В теории динамики кристаллической решетки такой подход известен как оболочечная модель Толпыго. Им впервые были рассмотрены оптические колебания решетки с учетом запаздывания и получены смешанные состояния фотонов и фононов, позже подтвержденных экспериментально и получивших название поляритонов. Введение дальнодействующих кулоновских сил в динамику гомеополярных и молекулярных кристаллов позволило рассматривать взаимодействие электронов с фононами всех ветвей и любых длин волн. Этот подход был успешно применен к теории поляритонов, F-центров и экситонов в щелочно-галоидных кристаллах. К. Б. Толпыго предложил метод расчета дефектов малого радиуса в полупроводниках и диэлектриках. Он внес вклад в развитие многоэлектронной теории валентных кристаллов --- разработку эффективного метода учета многоэлектронной корреляции в зонной теории, предложил квазимолекулярную модель ковалентных кристаллов и новую интерпретацию их спектров оптического поглощения на основе представления о метастабильных экситонах Френкеля. Разработал микроскопическую теорию поглощения световой волны при падении ее на полубесконечный кристалл. Построил микроскопическую теорию черенковского излучения как результата генерации поляритонов полем быстрого электрона. В памяти коллег и учеников и всех, кому посчастливилось работать и просто общаться с Кириллом Борисовичем, он остался принципиальным, доброжелательным, порядочным и очень скромным человеком. Коллеги и ученики, редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  1. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, А.В. Миронов. Патент РФ N 2469433 (2012)
  2. Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, А.В. Миронов. Патент РФ N 2546858 (2015)
  3. J. Cho, Z. Li, E. Bozorg-Grayeli, T. Kodama, D. Francis, F. Ejeckam, F. Faili, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. 13th IEEE ITHERM Conf. (San Diego, USA, 2012) p. 435
  4. A. Tauzin, T. Akatsu, M. Rabarot, J. Dechamp, M. Zussy, H. Moriceau, J.F. Michaud, A.M. Charvet, L.Di Cioccio, F. Fournel, J. Garrione, B. Faure, F. Letertre, N. Kernevez. Electron. Lett., 41 (11), 668 (2005)
  5. M.K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M. Stutzmann. Phys. Status Solidi A, 159 (1), R3 (1997)
  6. W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 72 (5), 599 (1998)
  7. D.J. Rogers, F.H. Teherani, A. Ougazzaden, S. Gautier, L. Divay, A. Lusson, O. Durand, F. Wyczisk, G. Garry, T. Monteiro, M.R. Correira, M. Peres, A. Neves, D. McGrouther, J.N. Chapman, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 91 (7), 071 120 (2007)
  8. Ch.F. Lin, J.J. Dai, M.Sh. Lin, K.T. Chen, W.Ch. Huang, Ch.M. Lin, R.H. Jiang, Y.Ch. Huang. Appl. Phys. Express, 3 (3), 031 001 (2010)
  9. H. Goto, S.W. Lee, H.J. Lee, H.-J. Lee, J.S. Ha, M.W. Cho, T. Yao. Phys. Status Solidi С, 5 (6), 1659 (2008)
  10. B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett., 86 (7), 071 113 (2005)
  11. K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu, H. Seki. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, 40 (2B), L140 (2001)
  12. J. Park, K.M. Song, S.-R. Jeon, J.H. Baek, S.-W. Ryu. Appl. Phys. Lett., 94 (22), 221907 (2009)
  13. P.R. Tavernier, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 89 (3), 1527 (2001)
  14. Е.Ю. Морозова, В.М. Лисицын, В.П. Ципилев, А.Н. Яковлев. Изв. Томского политехн. ун-та, 323(2), 173 (2013)
  15. S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors (Boston, Kluwer Academic Publishers, 1999) p. 175
  16. H. Harima. J. Phys.: Condens. Matter, 14, R967 (2002)
  17. Y. Oshima, T. Yoshida, K. Watanabe, T. Mishima. J. Cryst. Growth, 312, 3569 (2010)
  18. E. Richter, Ch. Hennig, U. Zeimer, L. Wang, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Status Solidi A, 203(7), 1658 (2006)
  19. V.V. Voronenkov, N.I. Bochkareva, R.I. Gorbunov, P.E. Latyshev, Y.S. Lelikov, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, A.S. Zubrilov, U.W. Popp, M. Strafela, H.P. Strunk, Y.G. Shreter. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 468 (2013)
  20. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova. J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15 (1), 73 (2000)
  21. X.J. Su, K. Xu, Y. Xu, G.Q. Ren, J.C. Zhang, J.F. Wang, H. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 205 103 (2013)
  22. Yu.G. Shreter, Yu.T. Rebane, A.V. Mironov. US Patent Application N 20140206178 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.