"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
Лобанов Д.Н.1,2, Новиков А.В.1,2, Андреев Б.А.1,2, Бушуйкин П.А.1, Юнин П.А.1, Скороходов Е.В.1, Красильникова Л.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dima@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Представлены результаты исследований влияния соотношения потоков элементов III и V групп на структурные и оптические свойства формируемой методом МПЭ ПА пленки InN. Было показано, что при соотношении потоков III/V < 0.6 слой InN состоит из отдельно стоящих наноколонн. В диапазоне соотношений 0.6 <III/V < 0.9 рост InN становится двумерным, однако слой InN обладает нанопористой структурой. При переходе к металлобогащенным условиям роста (III/V~ 1.1) слой InN становится сплошным. Переход от трехмерного роста к двумерному сопровождается увеличением плотности прорастающих дислокаций. Это приводит к снижению интенсивности сигнала фотолюминесценции InN при комнатной температуре. Концентрация электронов в слоях InN составила ~ 5·1018 см-3, что приводит к сдвигу максимума сигнала ФЛ в область длин волн 1.73-1.8 мкм и сдвигу края поглощения в область ~1.65 мкм.
  1. A.A. Klochikhin, V.Y. Davydov, V.V. Emtsev, A.V. Sakharov, V.A. Kapitonov, B.A. Andreev, Hai Lu, W.J. Schaff. Phys. Rev. B, 71, 195 207 (2005)
  2. N. Miller, E.E. Haller, G. Koblmuller, C. Gallinat, J.S. Speck, W.J. Schaff, M.E. Hawkridge, Kin Man Yu, J.W. Ager. Phys. Rev. B, 84, 075 315 (2011)
  3. M. Higashiwaki, T. Matsui. Jpn. J. Appl. Phys., 41, L540 (2002)
  4. С.С. Хлудков, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. Изв. вузов: Физика, 56 (9), 23 (2013)
  5. X. Wang, S. Liu, N. Ma, Li Feng, G. Chen, F. Xu, N. Tang, S. Huang, K.J. Chen, S. Zhou, Bo Shen. Appl. Phys. Express, 5 (1), 015 502 (2012)
  6. C.S. Gallinat, G. Koblmuller, J.S. Brown, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 102, 064 907 (2007)
  7. R. Intartaglia, B. Maleyre, S. Ruffenach, O. Briot, T. Taliercio, B. Gil. Appl. Phys. Lett., 86, 142 104 (2005)
  8. X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. J. Appl. Phys., 99, 073 512 (2006)
  9. Y. Nanishi, Y. Saito, T. Yamaguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 2549 (2003)
  10. J. Neugebauer, T.K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, R. M. Feenstra. Phys. Rev. Lett., 90, 056 101 (2003)
  11. G. Koblmuller, R. Averbeck, L. Geelhaar, H. Riechert, W. Hosler, P. Pongratz. J. Appl. Phys., 93, 9591 (2003)
  12. H. Xiao, X. Wang, J. Wang, N. Zhang, H. Liu, Y. Zeng, J. Li, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 276, 401 (2005)
  13. Y.F. Ng, Y.G. Cao, M.H. Xie, X.L. Wang, S.Y. Tong. Appl. Phys. Lett., 81 (21), 3960 (2002)
  14. M.A. Moram, M.E. Vickers. Rep. Prog. Phys., 72, 036 502 (2009)
  15. P. Rinke, M. Winkelnkemper, A. Qteish, D. Bimberg, J. Neugebauer, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 77, 075 202 (2008)
  16. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977) с. 244
  17. T.L. Tansley. In: Properties of Group III Nitrides, ed. by J.H. Edgar (London, INSPEC, 1994) p. 39
  18. J. Wu, W. Walukiewicz, S.X. Li, R. Armitage, J.C. Ho, E.R. Weber, E.E. Haller, H. Lu, W.J. Schaff, A. Barcz, R. Jakiela. Appl. Phys. Lett., 84, 2805 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.