"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
Саченко А.В.1, Крюченко Ю.В.1, Костылев В.П.1, Соколовский И.О.1, Абрамов А.С.2, Бобыль А.В.3, Панайотти И.Е.3, Теруков Е.И.2,3
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Научно-технический центр тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 27 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Предложен подход к расчету оптимальных параметров гетеропереходных солнечных элементов на основе кремния, ключевой особенностью которых является низкая скорость рекомбинационных процессов по сравнению с прямозонными полупроводниками. Показано, что при сравнительно небольших концентрациях основных носителей заряда (Nd~1015 см-3) концентрация избыточных носителей заряда может быть сравнимой или большей Nd. В этом случае величина кпд eta не зависит от Nd. При более высоких значениях Nd зависимость eta(Nd) определяют две противоборствующие тенденции. Одна из них способствует росту величины eta с увеличением Nd, а другая, связанная с рекомбинацией Оже, ведет к уменьшению eta. В работе определено оптимальное значение Nd~2·1016 см-3, при котором величина eta такого элемента максимальна. Показано, что максимальная величина eta на 1.5-2% превышает значение eta при 1015 см-3.
  1. K. Masuko, M. Shigematsu, T. Hashiguchi et al. IEEE J. Photovolt., 4 (6), 1433 (2014)
  2. W. Shockey, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 32, 510 (1961)
  3. А.В. Саченко, А.И. Шкребтий, Р.М. Коркишко, В.П. Костылев, Н.Р. Кулиш, И.О. Соколовский. ФТП, 49 (2), 271 (2015)
  4. А.В. Саченко, Ю.В. Крюченко, А.В. Бобыль, В.П. Костылев, Е.И. Теруков, Д.А. Богданов, И.Е. Панайотти, И.О. Соколовский, Д.Л. Орехов. Письма ЖТФ, 41 (10), 42 (2015)
  5. А.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semicond. Phys.: Quant. Electron. Optoelectron., 3 (3), 322 (2000)
  6. А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.Е. Костылев, И.О. Соколовский. ФТП, 40 (8), 909 (2006)
  7. A. Hangleiter, R. Hacke. Phys. Rev. Lett., 65 (2), 215 (1990)
  8. А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.Е. Костылев, И.О. Соколовский. ФТП, 41 (3), 291 (2007)
  9. A. Deinega, I. Valuev, B. Potapkin, Yu. Lozovik. J. Opt. Soc. Am. A, 28 (5), 770 (2011)
  10. A. Janо, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, T. Nishiwaki, K. Fujita, M. Taguchi, E. Maruyama. 28th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (Paris, 2013) v. 1, p. 1846
  11. E. Yablonovitch, D.L. Allara, C.C. Cheng, T.B. Bright. Phys. Rev. Lett., 57 (2), 249 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.