"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs 1
Хабибуллин Р.А.1, Ячменев А.Э.1, Лаврухин Д.В.1, Пономарев Д.С.1, Бугаев А.С.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: khabibullin@isvch.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Проведено исследование электронного транспорта и оптических свойств в структурах с нанонитями из атомов олова (Sn-НН) на вицинальных подложках GaAs с углами разориентации 0.3 и 3o относительно точной ориентации (100). На вольт-амперных характеристиках образцов обнаружена анизотропия тока насыщения при протекании тока вдоль (ориентация ||) и поперек (ориентация normal ) Sn-НН: для гомоструктур отношение токов I||/I normal ~ 1.2, для PHEMT-структур I||/I normal ~ 2.5. В реальном масштабе времени проведены исследования колебаний тока в зависимости от тянущего напряжения и светового воздействия при протекании тока перпендикулярно Sn-НН. Показана явная анизотропия частотных характеристик PHEMT.
  1. J.P. Leburton. J. Appl. Phys., 56, 2850 (1984)
  2. U. Bockelmann, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42 (14), 8947 (1990)
  3. Z.C. Lin, W.H. Hsieh, C.P. Lee, Y.W. Suen. Nanotechnology, 18, 075 403 (2007)
  4. H. Li, T.D. Race, M.A. Hasan. Appl. Phys. Lett., 80 (8), 1367 (2002)
  5. C. Thelander, L. Froberg, C. Rehnstedt, L. Samuelson, L. Wernersson. IEEE Electron. Dev. Lett., 29 (3), 206 (2008)
  6. K. Tomioka, M. Yoshimura, T. Fukui. Nature, 488, 189 (2012)
  7. X. Zhao, J. Alamo. IEEE Electron. Dev. Lett., 35 (5), 521 (2014)
  8. А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22 (6), 1091 (1988)
  9. V. Anjos, A. Marletta. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 8715 (2006)
  10. A.S. Bugaev, A.E. Jachmenev, A.P. Senichkin, A.N. Klochkov. Patent RU 2520538 C1 (2014)
  11. A.P. Senichkin, A.S. Bugaev, A.E. Yachmenev. J. Nano- and Microsystem Technique, 11, 52 (2012)
  12. В.М. Осадчий. ФТП, 33 (10), 1229 (1999) [Semiconductors, 33 (10), 1119 (1999)]
  13. V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasilevskii, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Semicond. Sci. Technol., 27, 035 021 (2012)
  14. Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 46 (4), 500 (2012) [Semiconductors, 46 (4), 484 (2012)]
  15. J. Kastrup, R. Klann, H.T. Grahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 56, 13761 (1995)
  16. Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
  17. R.A. Khabibullin, I.S. Vasil'evskii, D.S. Ponomarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
  18. Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011). [Semiconductors, 45 (5), 657 (2011)]
  19. Р.А. Хабибуллин, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2012) [Semiconductors, 47 (9), 1203 (2013)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.