Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 12 » Статья стр. 1676
<<<>>>
Обменное усиление g-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
Бовкун Л.С.1,2, Криштопенко С.С.1,2, Жолудев М.С.1,2, Иконников А.В.1,2, Спирин К.Е.1,2, Дворецкий С.А.3, Михайлов Н.Н.4,3, Teppe F.5, Knap W.5, Гавриленко В.И.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
5Laboratoire Charles Coulomb (L2C), UMR CNRS, GIS-TERALAB, Universite Montpellier II, Montpellier, France
Поступила в редакцию: 6 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
PDF версия
Исследовано обменное усиление g-фактора электронов в перпендикулярных магнитных полях до 12 Тл в квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 20 нм с полуметаллической зонной структурой. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций Шубникова-де-Гааза в слабых полях и вблизи нечетных факторов заполнения уровней Ландау nu≤ 9 определены значения эффективной массы и g-фактора электронов на уровне Ферми. Полученные значения сравниваются с теоретическими расчетами, выполненными в одноэлектронном приближении с использованием 8-зонного kp гамильтониана. Обнаруженная зависимость величины усиления g-фактора от концентрации электронов связывается с изменением вкладов дырочно- и электроноподобных состояний в обменные поправки к энергиям уровней Ландау в зоне проводимости.
  1. Ю.Б. Васильев, F. Gouider, G. Nachtwei, P.D. Buckle. ФТП, 44, 1559 (2010) [Semiconductors, 44, 1511 (2010)]
  2. В.И. Гавриленко, С.С. Криштопенко, M. Goiran. ФТП, 45, 111 (2011). [Semiconductors, 45, 110 (2011)]
  3. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 42, 846 (2008). [Semiconductors, 42, 828 (2008)]
  4. К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, А.А. Бирюков, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 47, 1497 (2013) [Semiconductors, 47, 1485 (2013)]
  5. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
  6. B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
  7. Б.А. Волков, О.А. Панкратов. Письма в ЖЭТФ, 42, 145 (1985)
  8. C.L. Kane, E.J. Mele. Phys. Rev. Lett., 95, 146802 (2005)
  9. C.L. Kane, E.J. Mele. Phys. Rev. Lett., 95, 226801 (2005)
  10. L. Fu, C.L. Kane, E.J. Mele, Phys. Rev. Lett., 98, 106803 (2007)
  11. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Письма ЖЭТФ, 87, 588 (2008)
  12. Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, E.G. Novik, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, I.O. Parm, S.A. Dvoretsky. Phys. Rev. B, 83, 193304 (2011)
  13. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.А. Шерстобитов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. ФТП, 47, 1586 (2013) [Semiconductors, 47, 1562 (2013)]
  14. A.V. Ikonnikov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, A.A. Lastovkin, K.V. Maremyanin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap. Semicond. Sci. Technol., 26, 125011 (2011)
  15. X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 69, 115340 (2004)
  16. M.V. Yakunin, S.M. Podgornykh, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky. Physica E, 42, 948 (2010)
  17. M.V. Yakunin, A.V. Suslov, S.M. Podgornykh, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov. Phys. Rev. B, 85, 245321 (2012)
  18. T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Jpn., 37, 1044 (1974)
  19. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 23, 385601 (2011)
  20. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 135601 (2012)
  21. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. J. Phys.: Condens. Matter, 24, 252201 (2012).
  22. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Phys. Rev. B, 87, 155113 (2013)
  23. F.F. Fang, P.J. Stiles. Phys. Rev., 174, 823 (1968)
  24. B.A. Piot, D.K. Maude, M. Henini, Z.R. Wasilewski, K.J. Friedland, R. Hey, K.H. Ploog, A.I. Toropov, R. Airey, G. Hill. Phys. Rev. B 72, 245325 (2005)
  25. M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, C. Consejo, J. Torres, N. Dyakonova, M. Czapkiewicz, J. Wrobel, G. Grabecki, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, A. Ikonnikov, K. Spirin, V. Aleshkin, V. Gavrilenko, W. Knap. Phys. Rev. B, 86, 205420 (2012)
  26. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnology, 3, 120 (2006)
  27. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Yu. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39, 918 (2010)
  28. I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Y.F. Komnik, O.А. Mironov, M. Mironov, D.R. Leadley. Low Temp. Phys., 35, 141 (2009)
  29. P. Coleridge. Semicond. Sci. Technol., 12, 22, (1997)
  30. A. Usher, R. Nicholas, J. Harris, C. Foxon. Phys. Rev. B, 41, 1129 (1990)
  31. С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.П. Калинин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 49, 196 (2015) [Semiconductors, 49, 191 (2015)]
  32. К.Е. Спирин, А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. Письма ЖЭТФ, 92, 65 (2010)
  33. А.В. Иконников, А.А. Ластовкин, К.Е. Спирин, М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, К.В. Маремьянин, А.В. Антонов, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Садофьев, N. Samal. Письма ЖЭТФ, 92, 837 (2010)
  34. А.В. Иконников, М.С. Жолудев, В.И. Гавриленко, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. ФТП, 47, 1569 (2013) [Semiconductors, 47, 1545 (2013)]
  35. В.И. Гавриленко, А.В. Иконников, С.С. Криштопенко, А.А. Ластовкин, К.В. Маремьянин, Ю.Г. Садофьев, К.Е. Спирин. ФТП, 44, 642 (2010) [Semiconductors, 44, 616 (210)]
  36. К.Е. Спирин, К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев. ФТП, 46, 1424 (2012) [Semiconductors, 46, 1396 (2012)]
  37. С.С. Криштопенко, К.П. Калинин, В.И. Гавриленко, Ю.Г. Садофьев, M. Goiran. ФТП, 46, 1186 (2012). [Semiconductors, 46, 1163 (2012)]
  38. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko, M. Goiran. Sol. St. Phenomena, 190, 554 (2012). ≤fteqn175mm0.5pt ≤fteqnseries Публикация материалов Конференции завершена.
  39. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 365602 (2013)
  40. S.S. Krishtopenko. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105601 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme