Вышедшие номера
Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(AIII,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером
Малышева Е.И.1,2, Дорохин М.В.1,2, Ведь М.В.1, Кудрин А.В.1,2, Здоровейщев А.В.1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Проведено сравнительное исследование циркулярно-поляризованной электролюминесценции в диодах Зеннера на основе гетероструктур InGaAs/n-GaAs/n+-GaAs/GaMnAs и InGaAs/n-GaAs/n+-GaAs/GaMnSb. Установлено, что циркулярная поляризация связана со спиновой инжекцией электронов из слоя ферромагнитного полупроводника, а параметры излучения определяются свойствами этого слоя. Показано, что ферромагнитные свойства слоя GaMnSb позволяют получить циркулярно-поляризованное излучение при комнатной температуре.