"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение техники годографа к диагностике диодных структур
Шмагин В.Б.1,2, Кудрявцев К.Е.1,2, Новиков А.В.1,2, Шенгуров Д.В.1,2, Юрасов Д.В.1,2, Красильник З.Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Приведены примеры использования техники годографа при диагностике кремниевых диодных структур. Использование техники годографа позволяет минимизировать погрешности определения емкости p-n-перехода, обусловленные наличием маскирующих элементов, искажающих результаты прямого измерения емкости диодной структуры в параллельной и последовательной схемах замещения.
  1. Б.М. Графов, Е.А. Укше. Электрохимические цепи переменного тока (М., Наука, 1973)
  2. З.Б. Стойнов, Б.М. Графов, Б.С. Савова-Стойнова, В.В. Елкин. Электрохимический импеданс (М., Наука, 1991)
  3. E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Impedance Spectroscopy. Theory, Experiment and Applications, 2nd edn. (Wiley--Interscience, New Jersey, 2005)
  4. D.C. Sinclair, A.R. West. J. Appl. Phys., 66, 3850 (1989)
  5. M. Younas, M. Nadeem, M. Atif, R. Grossinger. J. Appl. Phys., 109, 093 704 (2011)
  6. Yil-Hwan You, Byung-Soo So, Jin-Ha Hwang, Wontae Cho, Sun Sook Lee, Taek-Mo Chung, Chang Gyoun Kim, Ki-Seok An. Appl. Phys. Lett., 89, 222 105 (2006)
  7. M.P. Garrett, I.N. Ivanov, R.A. Gerhardt, A.A. Puretzky, D.B. Geohegan. Appl. Phys. Lett., 97, 163 105 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.