Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 10 » Статья стр. 1371
<<<>>>
Структура и оптические спектры пропускания напыленных при низких температурах нанокомпозитных пленок ZnS-SiO2
Крылов П.Н.1, Закирова Р.М.1, Князев И.А.1, Костенков Н.В.1, Романов Э.А.1, Федотова И.В.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
PDF версия
Представлены исследования процессов формирования нанокомпозитных пленок ZnS-SiO2 методом термического дискретного испарения при пониженных температурах конденсации на сверхвысоковакуумной установке. Показано, что нанокомпозитные пленки ZnS-SiO2 содержат аморфную матрицу SiO2 и нанокристаллы сульфида цинка ZnS. Форма и размеры нанокристаллитов зависят от температуры конденсации.
  1. J. Mu, D. Gu, Z. Xu. Appl. Phys. A, 80, 1425 (2005)
  2. В.Г. Дубровский. Теоретические основы полупроводниковой нанотехнологии (СПб., 2006)
  3. S.V. Gaponenko. Optical properties of semiconductor nanocrystals (Cambridge University Press, Cambridge, 1998)
  4. S. Nizamoglu, T. Qzel, E. Sari, H.V. Demir. Nanotechnology, 18, 709 (2007)
  5. А.И. Екимов, А.А. Онущенко, А.Г. Плюхин, Ал.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 88, 490 (1985)
  6. A.I. Ekimov, Al.L. Efros, A.A. Onushchenco. Sol. St. Commun., 56 (11), 921 (1985)
  7. A.I. Ekimov, Al.L. Efros, M.G. Ivanov, A.A. Onushchenco, S.K. Shumilov. Sol. St. Commun., 69, 565 (1989)
  8. J. Alle`gre, G. Arnaud, H. Mathieu, P. Lefebvre, W. Granier, L. Boudes. J. Cryst. Growth, 138, 998 (1994)
  9. H. Mathieu, T. Richard, J. Alle`gre, P. Lefebvre, G. Arnaud. J. Appl. Phys., 77, 287 (1995)
  10. M.C. Klein, F. Hache, D. Ricard, C. Flytzanis. Phys. Rev. B, 42 (11), 123 (1990)
  11. T. Tokizaki, H. Akiyama, M. Takaya, A. Nakamura. J. Cryst. Growth, 117, 603 (1992)
  12. M.G. Bawendi, W.L. Wilson, L. Rothberg, P.J. Carroll, T.M. Jedju, M.L. Steigerwald, L.E. Brus. Phys. Rev. Lett., 65, 1623 (1990)
  13. V. Esch, K. Kang, B. Fluegel, Y.Z. Hu, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch, N. Peygambarian, L.C. Liu, S.H. Risbud. Int. J. Non. Opt. Phys., 1, 25 (1992)
  14. T. Rajh, O.I. Micic, A.J. Nozik. J. Phys. Chem., 97 (11), 999 (1993)
  15. O.V. Salata, P.J. Dobson, P.J. Hull, J.L. Hutchison. Appl. Phys. Lett., 65, 189 (1994)
  16. O.I. Mircirc, C.J. Curtis, K.M. Jones, J.R. Sprague, A.J. Nozik. J. Phys. Chem., 98, 4966 (1994)
  17. В.А. Гайсин, С.В. Карпов, С.В. Микушев. Вестн. СПбГУ. Сер. 4., Физика, химия, 2, 119 (2005)
  18. P. Lefebvre, T. Richard, J. Alle`gre, H. Mathieu, A. Pradel, J.L. Marc, L. Boudes, W. Granier, M. Ribes. Superlatt. Microstruct., 15, 447 (1994)
  19. S. Schuppler, S.L. Friedman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, T.D. Harris, W.L. Brown, Y.J. Chabal, L.E. Brus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 72 (16), 2648 (1994)
  20. S. Schuppler, S.L. Freidman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, Y.J. Chabal, T.D. Harris, L.E. Brus, W.L. Brown, E.E. Chaban, P.F. Szajowski, S.B. Christman, P.H. Citrin. Phys. Rev. B, 25 (7), 4910 (1995)
  21. S.H. Tolbert, A.B. Herhold, L.E. Brus, A.P. Alivisatos. Phys. Rev. Lett., 76 (23), 4384 (1996)
  22. R.N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, A. Nurmikko. Phys. Rev. Lett., 72 (3), 416 (1994)
  23. Y.L. Soo, Z.H. Ming, S.W. Huang, Y.H. Kao, R.N. Bhargava, D. Gallagher. Phys. Rev. B, 50 (11), 7602 (1994)
  24. T.A. Kennedy, E.R. Glaser, P.B. Klein. Phys. Rev. B, 52 (20), 356 (1995)
  25. S.-D. Han, J.-D. Kim, K.-S. Myung, Y.-H. Lee, H. Yang, K.C. Singh. Mater. Chem. and Phys., 103, 89 (2007)
  26. В.Г. Корсаков, М.М. Сычев, В.В. Бахметьев. Конденсированные среды и межфазные границы, 14 (1), 41 (2012)
  27. П.Н. Крылов, Э.А. Романов, В.М. Ветошкин. Вакуумная техника и технология, 18 (2), 75 (2008)
  28. П.Н. Крылов, Э.А. Романов, И.В. Федотова. ФТП, 45 (1), 127 (2011)
  29. Y. Su, L. Li, X. Liang, Q. Zhou, M. Gao, Y. Chen, Y. Feng. Mater. Lett., 62, 3310 (2008)
  30. Y.-T. Nien, K.-H. Hwang, I.-G. Chen, K. Yu. J. Alloys Comp., 455, 519 (2008)
  31. T. Kryshtab, V.S. Khomchenko, J.A. Andraca-Adame, L.V. Zavyalova, N.N. Roshchina, V.E. Rodionov, V.B. Khachatryan. Thin Sol. Films, 515, 513 (2006)
  32. R. Thielsch, T. Bohme, H. Bottcher. Phys. Status Solidi A, 155 (1), 157 (1996)
  33. Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия (М., Металлургия, 1982) с. 632
  34. P.K. Ghosh, U.N. Maiti, S. Jana, K.K. Chattopadhyay. Appl. Surf. Sci., 253, 1544 (2006)
  35. N. Taghavinia, H.Y. Lee, H. Makino, T. Yao. Nanotechnology, 16, 944 (2005)
  36. L. Brus. J. Phys. Chem., 90, 2555 (1986)
  37. И.М. Лившиц, С.А. Гредескул, Л.А. Пастур. Введение в теорию неупорядоченных систем (М., Наука, 1982) с. 360
  38. Я.В. Кононец, Л.И. Велигура, О.А. Остроухова. ФТП, 32 (5), 549 (1998)
  39. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. ФТП, 43 (2), 174 (2009)
  40. Х.А. Тошходжаев, С.Н. Каримов, М. Умаров. Докл. АН Республики Таджикистан, 51 (1), 34 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme