Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тензосопротивление кристаллов n-Ge и n-Si при наличии радиационных дефектов

Гайдар Г.П.¹

¹Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 20 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы изменения тензосопротивления в gamma-облученных (⁶⁰Со) кристаллах n-Ge<Sb> и n-Si<As> при фиксированных температурах в условиях наложения одноосной упругой деформации (0 ≤ X ≤ 1.2 ГПа) вдоль главных кристаллографических направлений. Обнаружено при несимметричном расположении оси деформации относительно изоэнергетических эллипсоидов наличие максимума на зависимостях тензосопротивления rho_X/rho₀ = f (X) и предложено объяснение природы полученного эффекта. Выявлено тензосопротивление в необлученных кристаллах n-Si<As> при симметричном размещении оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов, величина которого уменьшается при gamma-облучении. Показано, что этот эффект можно объяснить изменением подвижности электронов в зоне проводимости вследствие роста поперечной эффективной массы и возникновением новых глубоких центров под действием облучения соответственно.

П.И. Баранский, А.Е. Беляев, Г.П. Гайдар, В.П. Кладько, А.В. Кучук. Проблемы диагностики реальных полупроводниковых кристаллов (Киев, Наук. думка, 2014)
М. Лано, Ж. Бургуен. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. (М., Мир, 1984) [Пер с англ.: J. Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. I. Theoretical aspects, ed. by M. Cardona (Berlin-Helderberg-N Y., Springer Verlag, 1981)]
Ж. Бургуен, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985). [Пер с англ.: J. Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. II. Experimental aspects, ed. by M. Cardona (Berlin-Helderberg-N. Y., Springer Verlag, 1983)]
А.В. Федосов, С.В. Лунев, Д.А. Захарчук, Л.И. Панасюк, Ю.В. Коваль. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 16, 39 (2011)
А.К. Семенюк, П.Ф. Назарчук. ФТП, 24 (11), 2056 (1990)
А.В. Федосов, Д.А. Захарчук, Р.М. Семенченко, С.А. Федосов, С.В. Лунев. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 16, 43 (2007)
С.И. Будзуляк. Физика и химия твердого тела, 13 (1), 34 (2012)
А.В. Федосов, Д.А. Захарчук, С.А. Федосов, Ю.В. Коваль, С.В. Лунев, Л.И. Панасюк. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 9, 54 (2008)
А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N. Y.-London-Sidney- Toronto, Willey Interscience Publication, 1977)]
А.В. Федосов, С.В. Лунев, А.М. Коровицкий, С.А. Федосов, С.Я. Мисюк. Науч. вестн. Волын. нац. ун-та им. Леси Украинки. Физ. науки, N 18, 8 (2009)
S. Thompson, N. Anand, M. Armstrong et al. Intern. Electron Devices Meeting (2002) [ IEDM'02 Technical Digest, 2002] p. 61
T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth et al. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (2003) [ IEDM'03 Technical Digest, 2003] p. 11.6.1
K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 96 (23), 236 801 (2006)
C.E. Nebel. Nature Materials, 12 (8), 690 (2013)
D. Culcer, A.L. Saraiva, B. Koiller, X. Hu, S.D. Sarma. Phys. Rev. Lett., 108 (12), 126 804 (2012)
G.D. Watkins. In: Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Paris, Dunod Cie, 1965) v. 3, p. 97
D.L. Trueblod. Phys. Rev., 161 (3), 828 (1967)
Радиационные дефекты в полупроводниках, под ред. В.Д. Ткачева (Минск, БГУ им. В.И. Ленина, 1972)
П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Физические свойства кристаллов кремния и германия в полях эффективного внешнего воздействия (Луцк, Надстырье, 2000)
П.И. Баранский, В.В. Коломоец, А.В. Федосов. ФТП, 10 (11), 2179 (1976)
G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121 (4), 1001 (1961)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
С.С. Королюк. ФТП, 15 (4), 784 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель