Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон

Морозова Н.К.¹, Волков А.О.¹, Мащенко В.Е.², Галстян В.Г.³

¹Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия National Research University “Moscow Power Engineering Institute”, Moscow, Russia

National Research University “Moscow Power Engineering Institute”, Moscow, Russia

²Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия Frumkin Institute of Physical Chemistry and Electrochemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Frumkin Institute of Physical Chemistry and Electrochemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

PDF версия

Изучение оптических свойств ZnO(Se) продолжает наши исследования систем ZnS(O), ZnSe(O), CdS(O) в контексте теории антипересекающихся зон. Имплантация ионами селена была проведена до концентрации 10²⁰ см^-3 в кристаллы ZnO высокой чистоты. Cпектры микрокатодолюминесценции, измеренные в растровом электронном микроскопе при температуре 100 K, давали информацию из объема имплантированного слоя. Выяснена природа оранжево-красной люминесценции слоев ZnO(Se)-Zn как результат образования HMAs системы, в которой ZnSe(O) возникает в процессе имплантации и радиационного отжига. Представлены данные, свидетельствующие о том, что природа зеленой люминесценции чистого "самоактивированного" ZnO-Zn является SA свечением, которое детально изучено на других соединениях A^IIB^VI (ZnS(O), ZnSe(O)) и определяется комплексами собственных дефектов - А-центрами.

Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. Кислород в оптике соединений II-VI в свете теории антипересекающихся зон (Saarbrucken, Germany, LAP, 2013)
Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич. ФТП, 44 (4), 458 (2010)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, В.Г. Галстян, Е.М. Гаврищук. ФТП, 42 (9),1039 (2008)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук и др. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
Н.Д. Данилевич. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2011)
M.A. Mayer, T.S. Derrick, K.M. Yu, S.S. Mao, E.E. Halleret et al. Appl. Phys. Lett., 97, 022 104 (2010)
Н.С. Оршанская, Л.Я. Марковский. Опт. и спектр., 9 (1), 77 (1960)
V.B. Singh. Z. Phys., 208 (5), 441 (1967)
Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Неорг. матер., 11 (10), 1755 (1975)
В.И. Козловский, Е.В. Марков, А.С. Насибов и др. Письма в ЖТФ, 9, 873 (1983)
И.В. Крюкова. Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками (М., МГТУ, 2009)
И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1984)
Н.К. Морозова, В.Г. Галстян, А.А. Канахин, И.Н. Мирошникова. ФТП, 47 (8), 1014 (2013)
А.В. Морозов, О.Б. Морозова, В.Г. Галстян. Сб.: Физ. процессы в полупроводниковых материалах (М., МЭИ, 1989) N 224, с. 22
Н.К. Морозовa, В.А. Кузнецов, В.Г. Галстян, В.Д. Рыжиков и др. Селенид цинка (М., Наука, 1992)
S. Sapra, D.D. Sarma. Phys. Rev. B, 69, 125 304-1 (2004)
V.A. Nikitenko, K.E. Tarkpea, I.V. Pykanov, S.G. Stoyuhin. J. Appl. Spectrosc., 68 (3), 1 (2001)
В.А. Никитенко. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1975)
P.A. Rodnyi, I.V. Khodyuk. Оpt. Spectrosc., 111 (5), 776 (2011)
И.В. Ходюк. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2011)
А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 41 (7), 828 (2005)
В.А. Никитенко, С.А. Стенли, Н.К. Морозова. Неорг. матерю, 24 (11), 1830 (1988)
Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. М. Авен, Д. Пренер (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель