"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью n-GaAs на эффект трибоэлектризации
Бакланов А.В.1, Гуткин А.А.2, Калюжный Н.А.2, Брунков П.Н.1,2,3
1Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследована трибоэлектризация n-GaAs в результате сканирования по поверхности зонда атомно-силового микроскопа в контактном режиме. Получены зависимости локального изменения потенциала от скорости сканирования и силы прижима зонда. Результаты объясняются созданием точечных дефектов в приповерхностных слоях образцов под влиянием деформации этих слоев при сканировании зонда. Заряд, локализующийся на этих дефектах в равновесии, изменяет потенциал поверхности, подвергнутой трибоэлектризации. Показано, что для качественного объяснения наблюдающихся зависимостей необходимо учитывать как генерацию, так и аннигиляцию дефектов в области, подвергающейся деформации.
  • B. Bhushan. Principles and Applications of Tribology, 2nd edn (Chichester, John Wiley \& Sons, Ltd., 2013) p. 980
  • Nanotribology and Nanomechanics: Measurement Techniques and Nanomechanics, ed. by B. Bhushan (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 2011) v. 1, p. 623
  • Nanotribology and Nanomechanics: Nanotribology, Biomimetics and Industrial Applications, ed. by B. Bhushan (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 2011) v. 2, p. 1017
  • B. Bhushan, A.V. Goldadem. Wear, 244, 104 (2000)
  • M. Chiesa, R. Garcia. Appl. Phys. Lett., 96, 263 112 (2010)
  • Hao Sun, Haibin Chu, Jinyong Wang, Lei Ding, Yan Li. Appl. Phys. Lett. 96, 083 112 (2010)
  • D.J. Lacks, R.M. Sankaran. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 453 001 (2011)
  • M. Mirkowska, M. Kratzer, C. Teichert, H. Flachberger. Chem. Ing. Tech., 86, 857 (2014)
  • Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 52, 1103 (1988)
  • M. Nonnenmacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 58, 2921 (1991)
  • П.Н. Брунков, В.В. Гончаров, М.Э. Рудинский, А.А. Гуткин, Н.Ю. Гордеев, В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Р.В. Соколов, С.Г. Конников. ФТП, 47, 1181 (2013)
  • www.brukerafmprobes.com
  • J.L. Hutter, J. Bechhoefer. Rev. Sci. Instrum., 64, 1868 (1993)
  • I. Szlufarska, M. Chandross, R.W. Carpick. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 123 001 (2008)
  • A.I. Livshits, A.L. Shluger. Phys. Rev. B, 56, 12 482 (1997)
  • U. Landman, W.D. Luetke, M.W. Ribarski. J. Vacuum. Sci. Technol. A, 7, 2829 (1989)
  • U. Landman, W.D. Luetke, E.M. Ringer. Wear, 153, 3 (1992)
  • H. Bracht, M. Norseng, E.E. Haller, K. Eberl, M. Cardona. Sol. St. Commun., 112, 301 (1999)
  • G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
  • E.W. Williams, H.B. Bebb. In: "Semiconductors and Semimetals", ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y. -London, 1972) v. 8, p. 321
  • P. Krispin. J. Appl. Phys., 65, 3470 (1989)
  • T. Ishida, K. Maeda, S. Takeuchi. Appl. Phys., 21, 257 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.