"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью n-GaAs на эффект трибоэлектризации
Бакланов А.В.1, Гуткин А.А.2, Калюжный Н.А.2, Брунков П.Н.1,2,3
1Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследована трибоэлектризация n-GaAs в результате сканирования по поверхности зонда атомно-силового микроскопа в контактном режиме. Получены зависимости локального изменения потенциала от скорости сканирования и силы прижима зонда. Результаты объясняются созданием точечных дефектов в приповерхностных слоях образцов под влиянием деформации этих слоев при сканировании зонда. Заряд, локализующийся на этих дефектах в равновесии, изменяет потенциал поверхности, подвергнутой трибоэлектризации. Показано, что для качественного объяснения наблюдающихся зависимостей необходимо учитывать как генерацию, так и аннигиляцию дефектов в области, подвергающейся деформации.
  1. B. Bhushan. Principles and Applications of Tribology, 2nd edn (Chichester, John Wiley \& Sons, Ltd., 2013) p. 980
  2. Nanotribology and Nanomechanics: Measurement Techniques and Nanomechanics, ed. by B. Bhushan (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 2011) v. 1, p. 623
  3. Nanotribology and Nanomechanics: Nanotribology, Biomimetics and Industrial Applications, ed. by B. Bhushan (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, 2011) v. 2, p. 1017
  4. B. Bhushan, A.V. Goldadem. Wear, 244, 104 (2000)
  5. M. Chiesa, R. Garcia. Appl. Phys. Lett., 96, 263 112 (2010)
  6. Hao Sun, Haibin Chu, Jinyong Wang, Lei Ding, Yan Li. Appl. Phys. Lett. 96, 083 112 (2010)
  7. D.J. Lacks, R.M. Sankaran. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 453 001 (2011)
  8. M. Mirkowska, M. Kratzer, C. Teichert, H. Flachberger. Chem. Ing. Tech., 86, 857 (2014)
  9. Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 52, 1103 (1988)
  10. M. Nonnenmacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 58, 2921 (1991)
  11. П.Н. Брунков, В.В. Гончаров, М.Э. Рудинский, А.А. Гуткин, Н.Ю. Гордеев, В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Р.В. Соколов, С.Г. Конников. ФТП, 47, 1181 (2013)
  12. www.brukerafmprobes.com
  13. J.L. Hutter, J. Bechhoefer. Rev. Sci. Instrum., 64, 1868 (1993)
  14. I. Szlufarska, M. Chandross, R.W. Carpick. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 123 001 (2008)
  15. A.I. Livshits, A.L. Shluger. Phys. Rev. B, 56, 12 482 (1997)
  16. U. Landman, W.D. Luetke, M.W. Ribarski. J. Vacuum. Sci. Technol. A, 7, 2829 (1989)
  17. U. Landman, W.D. Luetke, E.M. Ringer. Wear, 153, 3 (1992)
  18. H. Bracht, M. Norseng, E.E. Haller, K. Eberl, M. Cardona. Sol. St. Commun., 112, 301 (1999)
  19. G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
  20. E.W. Williams, H.B. Bebb. In: "Semiconductors and Semimetals", ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y. -London, 1972) v. 8, p. 321
  21. P. Krispin. J. Appl. Phys., 65, 3470 (1989)
  22. T. Ishida, K. Maeda, S. Takeuchi. Appl. Phys., 21, 257 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.