"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs
Жуков А.Е.1,2, Асрян Л.В.3, Семенова Е.С.4, Зубов Ф.И.1,2, Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.5,1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
4DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D, Denmark
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Выполнены расчеты разрывов зон на гетерогранице для различных комбинаций гетеропар InAlGaAs/AlGaAs, которые могут быть синтезированы на подложках GaAs в режиме послойного псевдоморфного роста. Найдены закономерности, позволяющие реализовать асимметричный барьерный слой, обеспечивающий почти свободное прохождение дырок и наибольшую возможную высоту барьера для электронов. С учетом критической толщины индийсодержащего четверного твердого раствора определены оптимальные составы обоих соединений (In0.232Al0.594Ga0.174As/Al0.355Ga0.645As), при которых поток электронов через барьер минимален.
  1. L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47 (2), 205 (2003)
  2. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021 107 (2012)
  3. Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова, Л.В. Асрян. Направлено в ПЖТФ
  4. A.N. Ambrajei, J.E. Clendenin, A.Y. Egorov, Y.A. Mamaev, T. Maruyama, G.A. Mulhollan, A.V. Subashiev, Y.P. Yashin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Appl. Surf. Sci., 166 (1--4), 40 (2000)
  5. Yu.A. Mamaev, L.G. Gerchikov, Yu.P. Yashin, D.A. Vasiliev, V.V. Kuzmichev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, V.S. Mikhrin, A.P. Vasiliev. Appl. Phys. Lett., 93 (8), 081 114 (2008)
  6. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055 025 (2011)
  7. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  8. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  9. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (N.Y., Oxford University Press, 2003) p. 64
  10. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
  11. Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Физматлит, 2008) с. 108

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.